编辑：llBTA41-ASEMI代理意法双向可控硅BTA41型号：BT139-800E品牌：ST/意法封装：TO-3P工作温度：-40°C~150°CBTA41描述：BTA41、BTA40和BTB41有电源包可供选择，适用于一般目的交流开关。当与尺寸合适的散热器一起使用时，BTA40、BTA41和BTB41可以启用高达9千瓦的交流开关系统。请参阅ST应用说

编辑：llBTA41-ASEMI代理意法双向可控硅BTA41型号：BT139-800E品牌：ST/意法封装：TO-3P工作温度：-40°C~150°CBTA41描述：BTA41、BTA40和BTB41有电源包可供选择，适用于一般目的交流开关。当与尺寸合适的散热器一起使用时，BTA40、BTA41和BTB41可以启用高达9千瓦的交流开关系统。请参阅S

编辑：llBTA16-ASEMI代理意法原装可控硅BTA16型号：BTA41品牌：ST/意法封装：TO-220正向电流：16A反向电压：600V引脚数量：3类型：双向可控硅特性：双向可控硅、意法原装可控硅工作温度：-40°C~150°C封装尺寸：如图BTA16产品描述：BTA16、BTB16和T1610、T1635和T1650三端双向可控硅系列适用于通用电源交

编辑：llBTA16-ASEMI代理意法原装可控硅BTA16型号：BTA41品牌：ST/意法封装：TO-220正向电流：16A反向电压：600V引脚数量：3类型：双向可控硅特性：双向可控硅、意法原装可控硅工作温度：-40°C~150°C封装尺寸：如图BTA16产品描述：BTA16、BTB16和T1610、T1635和T1650三端双向可控硅系列适

编辑-ZSTTH15RQ06-Y用的TO-220-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH15RQ06-Y的反向漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH15RQ06-Y的浪涌非

编辑-ZSTTH6010-Y用的TO-247-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH6010-Y的反向电流，漏电流（IR）为20uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH6010-Y的浪涌非重

编辑-ZSTTH30ST06-Y用的TO-247-2L封装，是意法一款汽车用超快恢复高压二极管。STTH30ST06-Y的反向漏电流（IR）为50uA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。STTH30ST06-Y的浪涌非

编辑-ZSTW43NM60ND用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范

编辑-ZSTW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围

编辑：llSTW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：STW43NM60ND品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：35A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MOS

编辑：llSTW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：STW78N65M5品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：69A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.24Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺

编辑-Z意法STTH60RQ06-Y汽车级快恢复二极管参数：型号：STTH60RQ06-Y重复峰值反向电压（VRRM）：600V平均正向电流（IF）：60A浪涌非重复正向电流（IFSM）：425A储存温度范围（Tstg）：-65to﹢17

编辑-ZST/意法STTH1506DPI车规FRD参数：型号：STTH1506DPI重复峰值反向电压（VRRM）：600V平均正向电流（IF）：15A浪涌非重复正向电流（IFSM）：130A储存温度范围（Tstg）：-65to﹢150℃工作结

编辑：llSTTH1506DPI意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：STTH1506DPI品牌：ASEMI封装：TO-3P-2L最大漏源电流：15A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.24Ω引脚数量：2沟道类型：N沟

编辑：llSTTH1506DPI意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：STTH1506DPI品牌：ASEMI封装：TO-3P-2L最大漏源电流：15A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：0.24Ω引脚数量：2沟道类型：N沟道MOS管芯

编辑-ZST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数：型号：STW43NM60ND连续漏极电流（ID）：35A功耗（Ptot）：255W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：600V栅极阈值电压V(GS)t

编辑-ZST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：型号：STW78N65M5连续漏极电流（ID）：69A功耗（Ptot）：450W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th

编辑-ZST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数：型号：STW43NM60ND连续漏极电流（ID）：35A功耗（Ptot）：255W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：600V栅极阈值电

编辑-ZST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：型号：STW78N65M5连续漏极电流（ID）：69A功耗（Ptot）：450W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电

C8平台监视IR接收STMicroelectronicsTW888电机状态监测装置STM8系列是意法半导体公司生产的8位的单片机。该型号单片机分为STM8A、STM8S、STM8L三个系列