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STW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理
型号:STW78N65M5
品牌:ASEMI
封装:TO-247
最大漏源电流:69A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:0.24Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
特性:车规级MOS管
恢复时间:25ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管
工作结温:-40℃~175℃
STW78N65M5车规级场效应管
STW78N65M5的电性参数:最大漏源电流69A;漏源击穿电压650V
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。
标签:车规级,MOS,STW78N65M5,ASEMI,意法,漏源 From: https://blog.51cto.com/u_15591410/5785701