编辑-ZSTW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围

编辑：llSTW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：STW78N65M5品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：69A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.24Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺

编辑-ZST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：型号：STW78N65M5连续漏极电流（ID）：69A功耗（Ptot）：450W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电压V(GS)th

编辑-ZST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：型号：STW78N65M5连续漏极电流（ID）：69A功耗（Ptot）：450W贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55~150℃漏源击穿电压V(BR)DSS：650V栅极阈值电