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STW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss）为9000pF，输出电容（Coss）为210pF。STW78N65M5的电性参数是：连续漏极电流（ID）为69A，漏源击穿电压为650V，二极管正向电压（VSD）为1.5V，反向恢复时间（trr）为504ns，其中有3条引线。
STW78N65M5参数描述
型号：STW78N65M5
连续漏极电流（ID）：69A
功耗（Ptot）：450W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：650V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA
栅源漏电流（IGSS）：±100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.024Ω
输入电容（Ciss）：9000pF
输出电容（Coss）：210pF
二极管正向电压（VSD）：1.5V
反向恢复时间（trr）：504ns
STW78N65M5插件封装系列。它的本体长度是20.15mm，加引脚长度为34.95mm，宽度为15.75mm，高度为5.15mm，脚间距为5.45mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
标签：MOS,漏极,mm,STW78N65M5,电压,意法,电流,漏源 From： https://blog.51cto.com/u_15615622/5797963