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ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数：
型号：STW78N65M5
连续漏极电流（ID）：69A
功耗（Ptot）：450W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS：650V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA
栅源漏电流（IGSS）：±100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.024Ω
输入电容（Ciss）：9000pF
输出电容（Coss）：210pF
二极管正向电压（VSD）：1.5V
反向恢复时间（trr）：504ns
STW78N65M5是N通道MDmesh™ V功率MOSFET基于创新的专有垂直工艺技术，与STMicroelectronics著名的PowerMESH相结合的水平布局结构。STW78N65M5具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。
STW78N65M5特征：
专为汽车应用而设计，符合AEC-Q101标准
更高的VDSS等级
更高的dv/dt能力
出色的切换性能
易于驾驶
100%雪崩测试
STW78N65M5应用：
切换应用
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
标签：MOSFET,栅极,导通,STW78N65M5,ASEMI,意法,漏源 From： https://blog.51cto.com/u_15615622/5759199