瞬态抑制二极管（Transient Voltage Suppression Diode），简称TVS二极管，是一种高效能防浪涌过电压器件，主要用于保护电路免受瞬态过电压的影响。它通常由一个PN结构组成，与普通二极管结构相似，但在晶体管与基区之间引入了额外的离子掺杂区域，使其能快速检测并响应过电压。瞬态抑制二

【模拟电子技术】04-二极管的直流等效电路上节提到PN结形成到二极管，并且了解到二极管V-A特性曲线每一段都能利用，并且可以规定电流路径。使用二极管的时候需要关注它的主要参数这四个参数中的每一个在使用的时候都需要考虑，如果没有选择好规格的话，使用时就可能烧坏。不难看

在H桥电路中，同时用到IRF4905、IRF3205。 G-D-SGate栅极,Drain漏极,Source源极 IRF4905IRF3205P沟道 N沟道 通过调控栅极G电压（相对源S），形成电场，从而控制漏D-源S电流。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出  触发：VGSth,-4

MOS管基本参数MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）作为开关元件的应用非常广泛，其开关特性与三极管相比有所不同。MOSFET的主要工作原理是通过在栅极（Gate）上施加电压，控制源极（Source）与漏极（Drain）之间的电流流动。MOSFET在开关电源、电机驱动、隔

[FAQ]各种逻辑输出类型（推挽、开漏、三态）之间有何差异？-逻辑论坛-逻辑-E2E™设计支持推挽输出推挽输出可在高电平状态下拉出电流或在低电平状态下灌入电流。在现代CMOS器件中，推挽输出的最常见配置如下所示：输出状态正驱动器(pFET)负驱动器(nFET)高电

TPS549B22的说明TPS549B22器件是一款紧凑型单通道降压转换器，具有自适应导通时间D-CAP3模式控制。该器件专为高精度、高效率、快速瞬态响应、易于使用、外部元件较少且空间受限的电源系统而设计。该器件采用全差分感应和TI集成FET，高侧导通电阻为4.1mΩ，低侧导通电阻为

一、基本概念伏秒平衡的本质是能量守恒。在开关电源中，电感元件在导通和关断期间会分别储存和释放能量。伏秒平衡原则指出，在稳态工作的开关电源中，电感两端的正伏秒值（即电感在导通期间电压与时间的乘积）等于负伏秒值（即电感在关断期间电压与时间的乘积）。这意味着电感在每个开关周

防反接电路1.二极管防反接1.1前向回路串联肖特基二极管1.2并联二极管+自恢复保险丝接反时二极管导通，电路短路，自恢复保险丝断。2.PMOS防反接2.1串联PMOS：电流首先通过体二极管导通，然后Vs=Vd=Vcc，从而使得Vgs=-vcc，Pmos导通。由于Pmos导通内阻较小，绝大多数电流从Pmos走。

在我们的日常使用中,MOS就是个纯粹的电子开关虽然MOS管也有放大作用,但是几乎用不到,只用它的开关作用一般的电机驱动,开关电源,逆变器等大功率设备,全部使用MOS管作为电子开关使用起来比较方便经常用到的是N沟道的MOS管,与三极管不同,MOS管为电压型驱动方式,小电压控制

一，可控硅导通关断的基本原理我们知道可可控硅是电压控制型器件，导通条件：在G和T1存在电压差即可导通。关断条件：T2和T1无压差且T2和T1无电流的条件才会彻底关断二，可控硅斩波的基本原理可控硅T2与T1之间是正弦交流电，电流电压有时大有时小，斩波时根据目标功率控制可控硅的导通周期，

目录:一、栅极电阻二、泄放电阻 一、栅极电阻我们知道，mos管是电压控制器件，与双极性三极管不同的是，mos管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，不需要栅极电流。所以本质上，MOS管栅极上无需串联任何电阻。对于普通的双极性三极管，它是电流控制器件。它的基极串联

MOS管MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管的缩写，是一种重要的半导体器件。它具有以下特点和应用：特点：高输入阻抗：MOS管的输入阻抗很高，可以减少对前级电路的影响。开关速度快：MOS管的导通和截止速度很快，适用于高频电路。噪声低：MOS管的噪声较低，适用于对噪声敏感的电路。

舵机的堵转保护是一种安全特性，用于防止舵机在遇到阻力无法正常旋转时受到损害。当舵机尝试移动到某个位置但因为外部阻力（如卡住或碰撞）而无法完成动作时，它会持续施加力直至达到其最大扭矩。如果没有堵转保护，这种情况可能会导致舵机内部的电机过热，甚至烧毁。堵转保护通过监测电

当输入很低时，输出为高，此时，NM41导通，将NM40的sourceterminal电压拉高，其bodyeffect导致NM40的thresholdvoltage比正常情况要大，下拉路径更不容易导通，换句话说，Schmittinverter的输入输出特性曲线trippoint相比正常inverter右移了。同理，反过来，当输入很高的时候，输出为低，PM31导通，

整流桥堆  主要考虑1耐压2额定电流Irms即温升电流次要的1Vf最大瞬时正向压降(这个是在生产的时候，对于产品的元件的适量的控制的时候才关心)2Ifsm峰值正向浪涌电流，现主要分析主要的这两个点耐压​​​​​​​整流桥堆里的二极管的额定电流由于整流桥里的二极管

二极管导通原理二极管一般是由P型半导体和N型半导体结合而成，如下所示P型半导体掺入大量3价原子，形成大量空穴，N型半导体掺入大量5价原子，形成大量电子。所以P型半导体和N型半导体结合时在结合处会发生电子和空穴的扩散运动（本质是电子扩散运动）N区电子向P区扩散移动，所以会在中间

下图利用Q2三极管的基级导通电压为0.6~0.7V这个特性设计的三极管恒流源电路。分析：当GPIO口给高电平时，三极管Q1是一个NPN管，就会导通，同时Q2就会导通。当Q2三极管导通，Q1三极管基级电压被拉低而截止，负载R1不工作，Q2没有电流流过，Q2基极电压下拉到地，Q2截止，Q1基极被释放，Q1又重新导通。

目录基础知识NMOS原理半桥控制原理IR2104简介示例电路引脚定义电路原理详解自举升压死区控制总结链接引入：IR2104是我上手的第一个半桥栅极驱动芯片，使用两片IR2104就可以搭建一个全桥电路控制电机的正反转。然而由于不懂其中原理，在

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电路中，MOS管的开启电压取多少最为合适呢？比如：某NmosVGS范围为正负20V栅极阈值电压（VGSth）最小为0.8V，最大为1.5V那么此时的Mos管栅极电压取多少最为合适？在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMO

01/简介 /上图所示，为了区分BUCK电路中的CCM、BCM、DCM、PWM、PFM等概念，从不同的角度，我们将它们分为：导通模式、工作模式和控制模式三个大类。02/导通模式 /从功率电感上的电流是否连续的角度看，降压电路最基本的三种电流传导模式有CCM、BCM和DCM三种。 连续导通模

之前公司里面员工干报废了一个USB3.0的网卡，线头直接断了，不过也能拯救一下，毕竟60块钱的东西 那么首先需要一些东西1.USB3.0公转公线不要太长，剪一半用来做线头，一半用来备用（大概6块一根）2.热缩管各种型号的，最小需要awg22的，因为usb线非常细（找最便宜的买大概4块）3.焊接工具（一

温度反转效应理论解释，通俗的说，高压时温度越高，性能越差；低压时温度越高，性能约好，这也是为什么CPU超频需要在极低温液氮冷却，主要原因时此时电压很高，温度越低性能越好。参考资料：https://wenku.baidu.com/view/41deeab9f66527d3240c844769eae009581ba2ae.html?wkts=1711605