一，可控硅导通关断的基本原理
我们知道可可控硅是电压控制型器件，
导通条件：在G和T1存在电压差即可导通。
关断条件：T2和T1无压差且T2和T1无电流的条件才会彻底关断
二，可控硅斩波的基本原理
可控硅T2与T1之间是正弦交流电，电流电压有时大有时小，斩波时根据目标功率控制可控硅的导通周期，来实现斩波。
比如一个斩波周期为50个正弦周期，我要输出100%功率，就要求有50个正弦周期全导通。
我要输出50%的功率，就是有没斩波周期中导通25个正弦周期。
我要输出0%的功率，就是整个斩波周期0个正弦周期导通。
三，正弦周期导通的时机的确定
一个交流正弦周期是20个ms，到高电压导通时，往往伴随着大了EMC辐射以及大的导通电流，此时可控硅的开关损耗也巨大，因此我就需要加入对正弦电压的过零检测以最大化可控硅的使用寿命，
提高能源利用效率。
通常可控硅搭配MC3061光耦进行隔离驱动，电路中还应该存在电压过零检测电路，用于检测正弦电压的电压过零点，用来判断最佳的可控硅导通时间。
四，程序的通常做法
首先要确定斩波的档位0-50档，分别对应导通0-50个正弦周期，以50个正弦周期为一个斩波周期。
做一张50x50的二维数组，将每档位导通周期均匀的分布到每个斩波周期中。就组成了一个50X50由0和1组成的表，1代表导通，0代表关断。
程序确定档位后执行查表操作（先查找对应的档位，再查找对应的状态值0或1），为1在过零点执行导通，每个导通电平输出时间应该小于20MS，给与可控硅充分的关断时间，防止可控硅始终处于导通状态。
依次执行50次完成一次斩波周期。