编辑-Z安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数：型号：FGH60N60SMD集电极到发射极电压（VCES）：600V栅极到发射极电压（VGES）：±20V收集器电流（IC）：120A脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A最大功耗（PD）：600W

编辑：llASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT型号：FGH60N60SMD品牌：ON/安森美封装：TO-247最大漏源电流：60A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：mΩ引脚数量：3特性：IGBT二极管芯片

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