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ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE
型号:ASE4N65SE
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
最大漏源电流:4A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:2.5Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
ASE4N65SE场效应管
ASE4N65SE的电性参数:最大漏源电流4A;漏源击穿电压650V
特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=650V,Id=4A
RDS(开):2.5Ω (最大值)@VG=10V
标签:MOS,沟道,ASE4N65SE,ASEMI,2.5,漏源 From: https://blog.51cto.com/u_15591410/6065117