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ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE

时间:2023-02-18 10:31:45浏览次数:37  
标签:MOS 沟道 ASE4N65SE ASEMI 2.5 漏源

编辑:ll

ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE

型号:ASE4N65SE

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

最大漏源电流:4A

漏源击穿电压:650V

RDS(ON)Max:2.5Ω

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

ASE4N65SE场效应管

ASE4N65SE的电性参数:最大漏源电流4A;漏源击穿电压650V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=650V,Id=4A

RDS(开):2.5Ω (最大值)@VG=10V

ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE_MOS管

ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE_ASEMI_02

ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE_ASEMI_03

标签:MOS,沟道,ASE4N65SE,ASEMI,2.5,漏源
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