编辑-ZASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作

编辑：llASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE型号：ASE4N65SE品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：4A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：2.5Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯

编辑：llASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE型号：ASE4N65SE品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：4A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：2.5Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏