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ASEMI中低压MOS管18N20参数：
型号：18N20
漏极-源极电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：18A
功耗（PD）：83W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω
二极管正向电压（VSD）：1.5V
输入电容（Ciss）：1080pF
二极管反向恢复时间（trr）：158us
18N20封装规格：
封装：TO-252
总长度：9.5mm
本体长度：6.1mm
宽度：6.6mm
高度：2.3mm
脚间距：2.3mm
18N20特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=20nC（典型值）。
BVDSS=200V，ID=18A
RDS（开）:0.18Ω （最大值）@VG=10V
100%雪崩测试
标签：mm,低压,封装,18N20,MOS,ASEMI From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17127412.html