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ASEMI低压MOS管AO3401封装,AO3401图片

时间:2023-02-13 17:38:06浏览次数:45  
标签:RDS MOS 栅极 漏极 电压 ASEMI AO3401

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ASEMI低压MOS管AO3401参数:

型号:AO3401

封装:SOT-23

漏极-源极电压(VDS):30V

栅源电压(VGS):±12V

连续漏电流(I):4.2A

脉冲漏极电流(IDM):30A

功耗(PD):1.4W

接头和储存温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):42mΩ

二极管正向电压(VSD):0.75V

输入电容(Ciss):954pF

二极管反向恢复时间(trr):20.2ns

 ASEMI低压MOS管AO3401封装,AO3401图片_封装

AO3401特征:

AO3401采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。


AO3401应用:

AO3401适合用作负载开关或PWM应用。

 ASEMI低压MOS管AO3401封装,AO3401图片_RDS_02

 ASEMI低压MOS管AO3401封装,AO3401图片_RDS_03

标签:RDS,MOS,栅极,漏极,电压,ASEMI,AO3401
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