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ASEMI低压MOS管AO3401参数：
型号：AO3401
封装：SOT-23
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏电流（I）：4.2A
脉冲漏极电流（IDM）：30A
功耗（PD）：1.4W
接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ
二极管正向电压（VSD）：0.75V
输入电容（Ciss）：954pF
二极管反向恢复时间（trr）：20.2ns
AO3401特征：
AO3401采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。
AO3401应用：
AO3401适合用作负载开关或PWM应用。
标签：低压,封装,MOS,电压,ASEMI,AO3401 From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17116899.html