• 2024-12-11智慧灌区系统平台建设方案
    在现代农业发展中,水资源的高效利用是提升农业产量和质量的关键。智慧灌区系统平台的建设,正是为了实现这一目标。该平台通过集成测绘地理信息与遥感技术,对灌区进行全方位的监测和管理,以提高水资源的利用效率和农业的可持续发展。一、智慧灌区系统平台的建设背景随
  • 2023-11-17AO3401-ASEMI低压N沟道AO3401参数、规格、尺寸
    编辑:llAO3401-ASEMI低压N沟道AO3401参数、规格、尺寸型号:AO3401品牌:ASEMI连续漏极电流(Id):4.2A漏源电压(Vdss):30V功率(Pd):700mW芯片个数:1封装:SOT-23工作温度:-50°C~150°C引脚数量:3类型:P沟道、低压MOS管AO3401描述:AO3401-ED采用先进的设计技术,提供出色的RDS(ON)、低栅
  • 2023-03-06AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401
    编辑:llAO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401型号:AO3401品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:-4.2A漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Max:0.05Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:P沟道MOS管
  • 2023-03-06AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401
    编辑:llAO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401型号:AO3401品牌:ASEMI封装:SOT-23最大漏源电流:-4.2A漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Max:0.05Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:P沟道MOS管、低压MOS管
  • 2023-02-13 ASEMI低压MOS管AO3401封装,AO3401图片
    编辑-ZASEMI低压MOS管AO3401参数:型号:AO3401封装:SOT-23漏极-源极电压(VDS):30V栅源电压(VGS):±12V连续漏电流(I):4.2A脉冲漏极电流(IDM):30A功耗(PD):1.4W接头和储存温度范围(TJ,TSTG):-55to
  • 2023-02-13ASEMI低压MOS管AO3401封装,AO3401图片
    编辑-ZASEMI低压MOS管AO3401参数:型号:AO3401封装:SOT-23漏极-源极电压(VDS):30V栅源电压(VGS):±12V连续漏电流(I):4.2A脉冲漏极电流(IDM):30A功耗(PD):1.4W接头和储存温度范围(TJ,