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ASEMI低压MOS管50N06S参数：
型号：50N06S
漏极-源极电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：25V
漏极电流（ID）：50A
功耗（PD）：85W
储存温度（Tstg）：-55 to 175℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ
二极管正向电压（VSD）：1.2V
输入电容（Ciss）：2050pF
二极管反向恢复时间（trr）：28nS
50N06S封装尺寸：
封装：TO-252
总长度：10.35mm
本体长度：6.25mm
宽度：6.75mm
高度：2.4mm
脚间距：2.34mm
50N06S特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=nC（典型值）。
BVDSS=60V，ID=50A
RDS（开）:0.015Ω （最大值）@VG=10V
100%雪崩测试
标签：50N06S,低压,RDS,MOS,mm,ASEMI From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17138004.html