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ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03

时间:2023-02-20 11:35:48浏览次数:47  
标签:MOS 沟道 30V ASE50N03 ASEMI 漏源

编辑:ll

ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03

型号:ASE50N03

品牌:ASEMI

封装:TO-252

最大漏源电流:50A

漏源击穿电压:30V

RDS(ON)Max:5.8mΩ

引脚数量:3

沟道类型:N沟道MOS管

芯片尺寸:MIL

漏电流:

恢复时间:5ns

芯片材质:

封装尺寸:如图

特性:低压MOS管、N沟道MOS管

工作结温:-55℃~150℃

ASE50N03场效应管

ASE50N03的电性参数:最大漏源电流50A;漏源击穿电压30V

特征:

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=30V,Id=50A

RDS(开):5.8mΩ (最大值)@VG=10V

 

标签:MOS,沟道,30V,ASE50N03,ASEMI,漏源
From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17136707.html

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