摘要CoolSiC™650VG2MOSFET可通过降低能耗来充分利用碳化硅的性能，从而在功率转换过程中实现更高效率。这些CoolSiC650VG2MOSFET适用于各种功率半导体应用，如光伏、能量存储、电动汽车直流充电、电机驱动器和工业电源。配备CoolSiCG2的电动汽车用直流快速充电站与前几代产品

SP9683E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，集成650VGaN功率器件，适合设计在离线式USB-PD和USBType-C等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于75mW。芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在PD/PPS调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的LPS要求。VDD工作范围9V~54V

1、应用太阳能逆变器UPS焊接IH功率因数校正2、规格1、RGW80TS65EHRC11IGBT沟槽型场截止650V通孔TO-247NIGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：160A不同 Vge、Ic时 Vce(on)（最大值）：1.9V@15V，40A功率

深圳市三佛科技有限公司为您介绍PN8036非隔离12V500MADIP7开关电源AC-DC芯片PN8036宽输出范围非隔离交直流转换芯片，集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8036内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯

编辑：llBT151-ASEMI单向可控硅BT151参数、尺寸、规格型号：BT151品牌：ASEMI封装：TO-252正向电流：12A反向电压：650V引脚数量：3芯片个数：1芯片尺寸：漏电流：>10ua恢复时间： 浪涌电流：30A包装方式：盘装封装尺寸：如图特性：单向可控硅工作结温：-40℃~125℃BT151的电性参数：正向电流12A；反向电压650V

全桥LLC仿真模型，输出电压=650V，输入电压=750V，ZVS软开关。功率为10kW，电压环响应速度快，控制精度高，抗负载扰动性能强。输出电压纹波＜±1%。ID:6550668282418300

编辑：ll10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65型号：10N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.9Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL

编辑：ll10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65型号：10N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.9Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏

编辑：ll4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65型号：4N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：4A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：2.5Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流

编辑：llASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330型号：ASE65R330品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：12.5A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.33mΩ引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS

编辑-ZASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数：型号：ASE20N65SE漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：20A功耗（PD）：239W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON

编辑：llASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE型号：ASE4N65SE品牌：ASEMI封装：TO-220F最大漏源电流：4A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：2.5Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯