编辑：ll
10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65
型号：10N65
品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：10A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：0.9Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
10N65场效应管
10N65的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压650V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=10A
RDS（开）:0.9Ω （最大值）@VG=10V
标签：MOS,10A,650V,10N65,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17246572.html