编辑：ll10N65-ASEMI高压场效应MOS管10N65型号：10N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.9Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL

编辑：ll10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65型号：10N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.9Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏电流：恢复时间

编辑：ll10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65型号：10N65品牌：ASEMI封装：TO-220最大漏源电流：10A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.9Ω引脚数量：3沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL漏

编辑-ZASEMI高压MOS管10N65参数：型号：10N65漏极-源极电压（VDS）：650V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：10A功耗（PD）：65W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.9Ω二极