首页 > 其他分享 >ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04

ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04

时间:2023-02-21 13:22:23浏览次数:47  
标签:MOS 沟道 芯片 ASEMI ASE140N04 漏源

编辑:ll

ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04

型号:ASE140N04

品牌:ASEMI

封装:TO-220F

最大漏源电流:140A

漏源击穿电压:40V

RDS(ON)Max:0.04Ω

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~175℃

备受欢迎的ASE140N04 MOS管

  ASEMI品牌ASE140N04是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE140N04的最大漏源电流140A,漏源击穿电压40V.

•细节体现差距

ASE140N04,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

ASE140N04具体参数为:最大漏源电流:140A,漏源击穿电压:40V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F

 

标签:MOS,沟道,芯片,ASEMI,ASE140N04,漏源
From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17140618.html

相关文章

  • ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06
    编辑:llASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06型号:ASE50N06品牌:ASEMI封装:TO-252最大漏源电流:50A漏源击穿电压:60VRDS(ON)Max:5.8mΩ引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片......
  • ASE20N60-ASEMI的MOS管ASE20N60
    编辑-ZASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.4Ω,是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐......
  • ASEMI低压MOS管50N06S,50N06S图片,50N06S尺寸
    编辑-ZASEMI低压MOS管50N06S参数:型号:50N06S漏极-源极电压(VDS):60V栅源电压(VGS):25V漏极电流(ID):50A功耗(PD):85W储存温度(Tstg):-55to175℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):15mΩ二......
  • ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
    编辑:llASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03型号:ASE50N03品牌:ASEMI封装:TO-252最大漏源电流:50A漏源击穿电压:30VRDS(ON)Max:5.8mΩ引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片......
  • HDOJ1061 Rightmost Digit
    RightmostDigitTimeLimit:2000/1000MS(Java/Others)    MemoryLimit:65536/32768K(Java/Others)TotalSubmission(s):60576    AcceptedSubmission(s)......
  • ASEMI代理FGH60N60SFD,安森美FGH60N60SFD原装IGBT
    编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数:型号:FGH60N60SFD集电极到发射极电压(VCES):600V栅极到发射极电压(VGES):±20V收集器电流(IC):120A二极管正向电流(IF):60A最大功耗(PD):378W工作结温度......
  • ASEMI高压MOS管4N65SE,4N65SE参数,4N65SE特征
    编辑-ZASEMI高压MOS管4N65SE参数:型号:4N65SE漏极-源极电压(VDS):650V栅源电压(VGS):30V漏极电流(ID):4A功耗(PD):50W储存温度(Tstg):-55to150℃静态漏源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω二极管正向电......
  • ASEMI代理FGH60N60SFD,安森美FGH60N60SFD原装IGBT
    编辑-Z安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数:型号:FGH60N60SFD集电极到发射极电压(VCES):600V栅极到发射极电压(VGES):±20V收集器电流(IC):120A二极管正向电流(IF):60A最大功耗(PD):378W......
  • ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE
    编辑:llASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE型号:ASE4N65SE品牌:ASEMI封装:TO-220F最大漏源电流:4A漏源击穿电压:650VRDS(ON)Max:2.5Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯......
  • ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE
    编辑:llASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE型号:ASE4N65SE品牌:ASEMI封装:TO-220F最大漏源电流:4A漏源击穿电压:650VRDS(ON)Max:2.5Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏......