特点效率高达75%以上1*2英寸标准封装单电压输出可直接焊在PCB上工作温度:-40℃~+75℃阻燃封装，满足UL94-V0要求温度特性好电压控制输出,输出电压随控制电压线性变化应用GRB系列模块电源是一种DC-DC升压变换器。该模块电源的输入电压分为：4.5~9V、9~18V、18~36V及36

EG2106在电机控制中的应用非常广泛，下面是一些典型的应用案例： 1.无刷直流电机（BLDC）控制：EG2106可以用于驱动无刷直流电机的功率MOSFET或IGBT。在无刷电机控制器中，通常会用到H桥电路来控制电机的正反转和转速，EG2106的高电压和大电流能力使其非常适合这种应用。 2.步进电

编辑：llD25XB60-ASEMI电机整流桥D25XB60型号：D25XB60品牌：ASEMI封装：GBJ-5（带康铜丝）特性：插件、整流桥平均正向整流电流（Id）：25A最大反向击穿电压（VRM）：600V恢复时间：＞2000ns最大RMS电压：引脚数量：5芯片个数：4最大正向压降：1.05V芯片尺寸：110MIL安装扭矩：推荐使用0.6N.m正向浪涌电流（IFS

编辑：llD35XB60-ASEMI开关电源桥堆D35XB60型号：D35XB60品牌：ASEMI封装：GBJ-5（带康铜丝）特性：插件、整流桥平均正向整流电流（Id）：35A最大反向击穿电压（VRM）：600V恢复时间：＞2000ns最大RMS电压：引脚数量：5芯片个数：4最大正向压降：1.05V芯片尺寸：110MIL安装扭矩：推荐使用0.6N.m正向浪涌电流（IFSM）：450A漏电流：10u

编辑：llAPT80DQ60BG-ASEMI大电流二极管APT80DQ60BG型号：APT80DQ60BG品牌：ASEMI封装：TO-247特性：插件、快恢复二极管最大平均正向电流：80A最大重复峰值反向电压：600V恢复时间：50ns引脚数量：3芯片个数：2最大正向压降：1.05V~1.80V芯片尺寸：6.2mm*4mm浪涌电流：600A漏电流：10ua工作温

编辑：llMUR6060PT-ASEMI低功耗半导体二极管MUR6060PT型号：MUR6060PT品牌：ASEMI封装：TO-247特性：插件、快恢复二极管最大平均正向电流：60A最大重复峰值反向电压：600V恢复时间：35ns引脚数量：2芯片个数：1最大正向压降：1.05V~1.80V芯片尺寸：6.2mm*4mm浪涌电流：400A漏电流：10ua工作温度：-55℃~150℃包装

编辑：llMUR6060PT-ASEMI低功耗半导体二极管MUR6060PT型号：MUR6060PT品牌：ASEMI封装：TO-247特性：插件、快恢复二极管最大平均正向电流：60A最大重复峰值反向电压：600V恢复时间：35ns引脚数量：2芯片个数：1最大正向压降：1.05V~1.80V芯片尺寸：6.2mm*4mm浪涌电流：400A漏电流：10ua工作温

编辑：llSFP4006-ASEMI低功耗半导体二极管SFP4006型号：SFP4006品牌：ASEMI封装：TO-247特性：插件、快恢复二极管最大平均正向电流：40A最大重复峰值反向电压：600V恢复时间：35ns引脚数量：3芯片个数：2最大正向压降：0.98V~1.90V芯片尺寸：140MIL浪涌电流：400A漏电流：10ua工作温度：-55℃~15

1、IKD15N60R600VIGBT晶体管是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。IGBT类型：沟道电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：30A电流-集

编辑-ZBYC30W-600P参数描述：型号：BYC30W-600P重复峰值反向电压VRRM：600V峰值工状向电压VRWM：600V反向电压VR：600V平均正向电流IF：30A正向电压VF：1.38V反向恢复时间trr：18ns正向重复峰值电流IFRM：60A非重复峰值正向电流IFSM：270A储存温度Tstg：-65~175℃结点温度Tj：175℃  BYC3

编辑：llMUR8060PT-ASEMI大电流快恢复二极管80A600V型号：MUR8060PT品牌：ASEMI封装：TO-247正向电流：80A反向电压：600V引脚数量：2恢复时间：22ns正向压降：1.8V类型：快恢复二极管特性：超快恢复二极管、功率二极管工作温度：-50°C~150°C封装尺寸：如图特性：大电流、快恢复二极管MUR806

编辑-ZIKCM10H60GA参数描述：型号：IKCM10H60GA最大闭锁电压VCES：600VP-N的直流链路电源电压VPN：450V输出电流IC：10A最大峰值输出电流：16A短路耐受时间tSC：5µs每个IGBT的功耗Ptot：23.1W工作接点温度范围TJ：-40~150℃模块电源电压VDD：20V输入电压VIN：10V开关频率fPWM：20kHz开启上

GRB系列非隔离宽电压输入高电压稳压输出特点 效率高达75%以上 1*2英寸标准封装 单电压输出 可直接焊在PCB上 工作温度:-40℃~+75℃ 阻燃封装，满足UL94-V0要求 温度特性好 电压控制输出,输出电压随控制电压的变化线应用GRB系列模块电源是一种DC-DC升压变换器。该模块电

编辑-ZASEMI高压MOS管7N60参数：型号：7N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：7A功耗（PD）：125W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω二极管正向电压（VS

编辑-ZASEMI高压MOS管60R380参数：型号：60R380漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：11A功耗（PD）：65W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω

编辑-ZASEMI高压MOS管60R380参数：型号：60R380漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：20V漏极电流（ID）：11A功耗（PD）：65W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω二极管正向

编辑：llASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT型号：FGH60N60SMD品牌：ON/安森美封装：TO-247最大漏源电流：60A漏源击穿电压：600VRDS（ON）Max：mΩ引脚数量：3特性：IGBT

编辑：llGBJ406-ASEMI开关电源整流桥GBJ406型号：GBJ406品牌：ASEMI封装：GBJ-4特性：整流桥正向电流：4A反向耐压：600V恢复时间：>2000ns引脚数量：4芯片个数：4芯片尺寸：84MIL浪涌电流：150A漏电

编辑：llKBL406-ASEMI适配高端电源整流桥KBL406型号：KBL406品牌：ASEMI封装：KBL-4特性：整流桥正向电流：4A反向耐压：600V恢复时间：>2000ns引脚数量：4芯片个数：4芯片尺寸：84MIL浪涌电流：120A

编辑：llKBL406-ASEMI插件整流桥KBL406型号：KBL406品牌：ASEMI封装：KBL-4特性：整流桥正向电流：4A反向耐压：600V恢复时间：>2000ns引脚数量：4芯片个数：4芯片尺寸：84MIL浪涌电流：120A 漏电流：>

编辑：llES8JC-ASEMI快恢复二极管ES8JC型号：ES8JC品牌：ASEMI封装：SMC特性：快恢复二极管正向电流：8A反向耐压：600V恢复时间：35ns引脚数量：2芯片个数：1芯片尺寸：84MIL浪涌电