（600V）IGBT 晶体管IKD15N60R具有出色的温度稳定性，而IKW50N60H3降低开关损耗。

1、IKD15N60R 600V IGBT晶体管是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。

IGBT 类型：沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：45 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A

功率 - 最大值：250 W

开关能量：900µJ

输入类型：标准

栅极电荷：90 nC

25°C 时 Td（开/关）值：16ns/183ns

测试条件：400V，15A，15 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：110 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

明佳达电子/星际金华（回收、供应）IGBT 晶体管（600V）IKD15N60R具有出色的温度稳定性，而IKW50N60H3降低开关损耗。

2、IKW50N60H3 器件是下一代薄晶圆IGBT（绝缘栅双极型晶体管），与目前其他领先的IGBT相比，传导和开关损耗大幅降低。TRENCHSTOP 5是针对开关频率高于10kHz的应用而设计。晶圆厚度减少25%以上，大幅改善了开关及传导耗损，更将击穿电压提高到了650V。性能提升幅度惊人，为设计人员开启了新的探索机会。

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A

功率 - 最大值：333 W

开关能量：2.36mJ

输入类型：标准

栅极电荷：315 nC

25°C 时 Td（开/关）值：23ns/235ns

测试条件：400V，50A，7 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：130 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：PG-TO247-3-1