STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装

时间：2023-01-18 19:00:56浏览次数：49

标签：20A600V STGP19NC60KD 晶体管 IGBT 封装原装

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装_封装

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V

特点：低电压降（VcE（sat））低Cres/Cies比（无交叉传导磁化率），短路耐受时间为10 us，IGBT与超快自由旋转二极管合封。

应用：高频逆变器，电机驱动器。

说明：该IGBT利用了先进的PowerMESHTM工艺，在切换性能和低状态行为之间实现了良好的权衡。

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装_IGBT_02

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装

STGF19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220FP封装

STGB19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，D2PAK封装

STGP19NC60KD原装IGBT晶体管20A600V，TO-220封装_IGBT_03

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