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英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数：
型号：AIGW40N65H5
脉冲集电极电流（ICpuls）：120A
功耗（Ptot）：250W
工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃
储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃
集电极-发射极电压（VCE）：650V
G−E阈值电压VGE(th)：4.0V
集电极截止电流（ICES）：40uA
G−E漏电流（IGES）：100nA
输入电容（Cies）：2300pF
输出电容（Coes）：43pF
打开延迟时间td(on)：20ns
关闭延迟时间td(off)：149ns
AIGW40N65H5特点和优点：
硬开关和谐振的最佳效率
拓扑结构
即插即用取代上一代IGBT
650V击穿电压
低门电荷QG
最高接合温度175°C
动态应力测试
符合AEC-Q101
绿色包装（符合RoHS标准）
AIGW40N65H5应用：
非车载充电器
车载充电器
DC/DC转换器
功率因数校正
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
标签：英飞凌,AIGW40N65H5,IGBT,延迟时间,集电极,原厂 From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16799758.html