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AIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏度。AIGW50N65H5的输入电容（Ciss）为2800pF，输出电容（Coss）为54pF。AIGW50N65H5的电性参数是：脉冲集电极电流（ICpuls）为150A，集电极到发射极电压（VCES）为650V，打开延迟时间td(on)为21ns，关闭延迟时间td(off)为173ns，其中有3条引线。
AIGW50N65H5参数描述
型号：AIGW50N65H5
脉冲集电极电流（ICpuls）：150A
功耗（Ptot）：270W
工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175℃
储存温度（Tstg）：-55 ~ 150℃
集电极-发射极电压（VCE）：650V
G−E阈值电压VGE(th)：4.0V
集电极截止电流（ICES）：40uA
G−E漏电流（IGES）：100nA
输入电容（Cies）：2800pF
输出电容（Coes）：54pF
打开延迟时间td(on)：21ns
关闭延迟时间td(off)：173ns
AIGW50N65H5插件封装系列。它的本体长度是21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飞凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯：DS145-16A等。
标签：英飞凌,mm,IGBT,延迟时间,集电极,AIGW50N65H5,td From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/16836249.html