编辑-ZAIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄氏

编辑-ZAIGW50N65H5用的TO-247封装，是英飞凌一款汽车级IGBT管。AIGW50N65H5的功耗（Ptot）为270W，集电极截止电流（ICES）为40uA，G−E漏电流（IGES）为100nA，其工作时耐温度范围为-40~175摄

编辑：llAIGW50N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：AIGW50N65H5品牌：ASEMI封装：TO-247最大漏源电流：50A漏源击穿电压：650VRDS（ON）Max：0.08Ω引脚数量：3特性：车规级MO

编辑-ZInfineon/英飞凌AIGW50N65H5车规级IGBT参数：型号：AIGW50N65H5脉冲集电极电流（ICpuls）：150A功耗（Ptot）：270W工作结温度（Tvj）：-40~175℃储存温度（Tstg）：-55~150℃集电极-发射极电