7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60

时间：2023-03-08 10:22:34浏览次数：45

标签：7A MOS 沟道 7N60 ASEMI 漏源

编辑：ll

型号：7N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：7A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：1.2Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

7N60场效应管

7N60的电性参数：最大漏源电流7A；漏源击穿电压600V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=600V，Id=7A

RDS（开）:1.2Ω （最大值）@VG=10V

标签：7A,MOS,沟道,7N60,ASEMI,漏源
From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17191040.html

Mosaic数据增强的实现
mosaic数据增强是一种在YOLOv4中首次引入的数据增强技术，它可以将4张训练图像以一定的比例合并成一张。这样可以让模型学习如何在比正常更小的尺度上识别物体，也可以在训练中......
12N60-ASEMI高压MOS管12N60
编辑-Z12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.7Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范......
ASEMI高压MOS管10N60参数，10N60特征，10N60大小
编辑-ZASEMI高压MOS管10N60参数：型号：10N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：10A功耗（PD）：125W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.85Ω二......
AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415
编辑：llAO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415型号：AO3415品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-5A漏源击穿电压：-20VRDS（ON）Max：0.055Ω引脚数量：3芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管......
MOSS对话式大型语言模型
MOSS是复旦大学自然语言处理实验室发布的一种类似于ChatGPT的会话语言模型。MOSS能够按照用户的指示执行各种自然语言任务，包括回答问题、生成文本、摘要文本、生成代码等。......
4N60-ASEMI高压MOS管4N60
编辑-Z4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-......
ASEMI高压MOS管7N60参数，7N60封装，7N60规格
编辑-ZASEMI高压MOS管7N60参数：型号：7N60漏极-源极电压（VDS）：600V栅源电压（VGS）：30V漏极电流（ID）：7A功耗（PD）：125W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω二极管正向电压（VS......
AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401
编辑：llAO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401型号：AO3401品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-4.2A漏源击穿电压：-30VRDS（ON）Max：0.05Ω引脚数量：3芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管......
AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401
编辑：llAO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401型号：AO3401品牌：ASEMI封装：SOT-23最大漏源电流：-4.2A漏源击穿电压：-30VRDS（ON）Max：0.05Ω引脚数量：3芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管......
CF1793 Codeforces Round 852 (Div. 2) D. Moscow Gorillas
https://codeforces.com/contest/1793/problem/D对于给定的两个长度为\(n\)的排列\(a_i,b_i\)，定义\(MEX(S)\)为集合\(S\)中没有出现的最小的正整数，找出所有满足......

7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60

相关文章

赞助商

阅读排行