10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60

时间：2023-03-08 10:45:10浏览次数：41

标签：MOS 沟道芯片 ASEMI 10N60 漏源

编辑：ll

型号：10N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：0.85Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的10N60 MOS管

ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了10N60的最大漏源电流10A，漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

10N60,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

10N60具体参数为：最大漏源电流：10A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220

标签：MOS,沟道,芯片,ASEMI,10N60,漏源
From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17191143.html

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