首页 > 其他分享 >12N65-ASEMI高压MOS管12N65

12N65-ASEMI高压MOS管12N65

时间:2023-03-10 17:12:34浏览次数:43  
标签:12N65 MOS mm ASEMI 电流 正向

编辑-Z

12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.68Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗(PD)为140W。12N65的电性参数是:正向电流(Io)为12A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。

 

12N65参数描述

型号:12N65

封装:TO-220

特性:N沟道高压MOS管

电性参数:12A 650V

正向电流(Io):12A

静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.68Ω

功耗(PD):140W

二极管正向电压(VSD):1.4V

最大脉冲正向电流ISM:48A

零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

 

 

12N65是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm,脚间距为2.54mm。

 

以上就是关于12N65-ASEMI高压MOS管12N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

标签:12N65,MOS,mm,ASEMI,电流,正向
From: https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17204072.html

相关文章

  • 7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65
    编辑:ll7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65型号:7N65品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:7A漏源击穿电压:650VRDS(ON)Max:1.35Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管漏电流:ua......
  • 7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65
    编辑:ll7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65型号:7N65品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:7A漏源击穿电压:650VRDS(ON)Max:1.35Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS......
  • 4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65
    编辑:ll4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65型号:4N65品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:4A漏源击穿电压:650VRDS(ON)Max:2.5Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流......
  • SiC MOSFET 高频开关下的损耗抑制
    实验环境如下:图-1图-2图-3使用IVCR1401芯片驱动SiCMOSFET,使用n122U31做电气隔离。VCC经过调压器整流过后为100V直流电压。在100kHZ的频率下......
  • 16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60
    编辑:ll16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60型号:16N60品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:16A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:0.17Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:N沟道MOS管、高......
  • 12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60
    编辑:ll12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60型号:12N60品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:12A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:0.68Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL......
  • 12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60
    编辑:ll12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60型号:12N60品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:12A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:0.68Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流:恢复时......
  • 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60
    编辑:ll10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60型号:10N60品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:10A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:0.85Ω引脚数量:3芯片个数:沟道类型:N沟道MOS管、高......
  • 7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60
    编辑:ll7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60型号:7N60品牌:ASEMI封装:TO-220最大漏源电流:7A漏源击穿电压:600VRDS(ON)Max:1.2Ω引脚数量:3沟道类型:N沟道MOS管芯片尺寸:MIL漏电流......
  • Mosaic数据增强的实现
    mosaic数据增强是一种在YOLOv4中首次引入的数据增强技术,它可以将4张训练图像以一定的比例合并成一张。这样可以让模型学习如何在比正常更小的尺度上识别物体,也可以在训练中......