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12N65-ASEMI高压MOS管12N65

时间:2023-03-10 17:12:34浏览次数:42  
标签:12N65 MOS mm ASEMI 电流 正向

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12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.68Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗(PD)为140W。12N65的电性参数是:正向电流(Io)为12A,漏极-源极击穿电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。

 

12N65参数描述

型号:12N65

封装:TO-220

特性:N沟道高压MOS管

电性参数:12A 650V

正向电流(Io):12A

静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.68Ω

功耗(PD):140W

二极管正向电压(VSD):1.4V

最大脉冲正向电流ISM:48A

零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

 

 

12N65是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm,脚间距为2.54mm。

 

以上就是关于12N65-ASEMI高压MOS管12N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

标签:12N65,MOS,mm,ASEMI,电流,正向
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