实验环境如下：
| 图-1 | 图-2 |
使用 IVCR1401 芯片驱动 SiC MOSFET，使用 n122U31 做电气隔离。VCC 经过调压器整流过后为 100V 直流电压。在 100kHZ 的频率下对驱动电路进行测试。
图-3~4 是在工作频率 100kHZ 下的 Ugs 波形图片，由千最初驱动电路参数设计问题，导致了严重的关断振荡。在 1khz 的工作频率下，如 图-4 所示，关断振荡存在，但不明显。
关断振荡第一会给 MOS 带来较多的关断损耗，其次，在设计桥臂电路上时，会误导通，所以必须进行抑制。经过好多次分析与实验，得到了相应的优化方案。
第一：第一次设计该电路时，SiC MOS 封装错了，D 与 S 的管脚顺序错了，是强行换脚进行测试（别骂），这样给电路带来了更多的寄生电感。使得振荡及其严重。其次我在原先的电路中，还留了许多位置用千添加米勒电容平台的抑制方案如图 e 所示（但是在波形中，米勒平台不显著），导致驱动芯片与栅极之间存在一定的距离，增大了电路中的寄生电感。所以，需要对电路设计进行优化减小寄生电感。
第二：栅极电阻的取值，以及关断时决恢复部分的电阻取值（反并二极管的地方）需要严格设计。参考范围：R4 200-500ohm，R5 10-33ohm（实验得到的大致范围，新板子到了需要重新取值）
R5 为栅极电阻，取值过大，会导致上升变慢，开态损耗加剧，波形如图 f 所示。
图-8~9，通过增大 R5，可以使得关断振荡减小，如下图所示，为 R5 22ohm，R4 220ohm 时候的振荡波形。可以看出 R4 的阻值调节可以对振荡有较好的抑制。改进效果：50 占空比，1100W 功率，在以下 Ugs 波形下，MOS 恒定工作温度为 56-59 摄氏度，有较好的振荡抑制效果。
原理，基千 RLC 谐振原理，由千 L 的值较大，所以，通过增大 R，可以使得关断损耗进行抑制。但是过大的阻止会对关断时间进行拉长，增加关断损耗。所以取值需要权衡。
所以在新的板子中，减小驱动芯片与 MOS 之间的距离。其次购买电阻贴片，合理取值抑制振荡。