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7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65

时间:2023-03-10 11:32:47浏览次数:48  
标签:MOS 沟道 芯片 7N65 ASEMI 漏源

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7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65

型号:7N65

品牌:ASEMI

封装:TO-220

最大漏源电流:7A

漏源击穿电压:650V

RDS(ON)Max:1.35Ω

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~150℃

备受欢迎的7N65 MOS管

ASEMI品牌7N65是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了7N65的最大漏源电流7A,漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

7N65,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

7N65具体参数为:最大漏源电流:7A,漏源击穿电压:650V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220

7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65_ASEMI

7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65_ASEMI_02

7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65_ASEMI_03

标签:MOS,沟道,芯片,7N65,ASEMI,漏源
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