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IPA65R650CE-ASEMI代理英飞凌MOS管IPA65R650CE
型号：IPA65R650CE
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220F
最大漏源电流：10A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：650mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-40℃~150℃
IPA65R650CE场效应管
IPA65R650CE的电性参数：最大漏源电流10A；漏源击穿电压650V
IPA65R650CE应用：
适用于高频开关和同步整流、适配器、照明、服务器.
标签：英飞凌,沟道,MOS,IPA65R650CE,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17414369.html