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IPB60R950C6-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R950C6
型号：IPB60R950C6
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-263
最大漏源电流：12A
漏源击穿电压：600V
RDS（ON）Max：0.95Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
IIPB60R950C6场效应管
IPB60R950C6的电性参数：最大漏源电流12A；漏源击穿电压600V
IPB60R950C6应用：
PC Silverbox、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS。
标签：高压,英飞凌,MOS,IPB60R950C6,ASEMI,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17407710.html