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IPB64N25S3-20-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB64N25S3-20
型号:IPB64N25S3-20
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-263
最大漏源电流:64A
漏源击穿电压:250V
RDS(ON)Max:17.5mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~175℃
IPB64N25S3-20场效应管
IPB64N25S3-20的电性参数:最大漏源电流64A;漏源击穿电压250V
特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=250V,Id=64A
RDS(开):17.5mΩ (最大值)@VG=10V
标签:20,英飞凌,沟道,MOS,IPB64N25S3,漏源 From: https://blog.51cto.com/u_15591410/6283640