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IPB64N25S3-20-ASEMI代理英飞凌中低压MOS管IPB64N25S3-20
型号：IPB64N25S3-20
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-263
最大漏源电流：64A
漏源击穿电压：250V
RDS（ON）Max：17.5mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~175℃
IPB64N25S3-20场效应管
IPB64N25S3-20的电性参数：最大漏源电流64A；漏源击穿电压250V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=250V，Id=64A
RDS（开）:17.5mΩ （最大值）@VG=10V
标签：64A,20,英飞凌,MOS,IPB64N25S3,漏源 From： https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17405342.html