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IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP

时间:2023-05-17 11:23:59浏览次数:45  
标签:英飞凌 MOS 芯片 ASEMI IPB60R099CP 漏源

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IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP

型号:IPB60R099CP

品牌:英飞凌

封装:TO-263

最大漏源电流:31A

漏源击穿电压:600V

RDS(ON)Max:99mΩ

引脚数量:3

芯片个数:

沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流:ua

特性:N沟道MOS管、场效应管

工作温度:-55℃~150℃

备受欢迎的IPB60R099CP MOS管

  ASEMI代理英飞凌品牌IPB60R099CP是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了IPB60R099CP的最大漏源电流31A,漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

IPB60R099CP,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。

IPB60R099CP具体参数为:最大漏源电流:31A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-263

 

标签:英飞凌,MOS,芯片,ASEMI,IPB60R099CP,漏源
From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17407983.html

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