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IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP
型号:IPB60R099CP
品牌:英飞凌
封装:TO-263
最大漏源电流:31A
漏源击穿电压:600V
RDS(ON)Max:99mΩ
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的IPB60R099CP MOS管
ASEMI代理英飞凌品牌IPB60R099CP是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了IPB60R099CP的最大漏源电流31A,漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
IPB60R099CP,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
IPB60R099CP具体参数为:最大漏源电流:31A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-263
标签:英飞凌,MOS,芯片,ASEMI,IPB60R099CP,漏源 From: https://www.cnblogs.com/asemi99/p/17407983.html