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IPB60R099CP参数描述：
型号：IPB60R099CP
持续漏极电流：31A
脉冲漏极电流：93A
雪崩电流，重复：11A
栅极-源极电压：±20V
功率耗散：255W
操作和储存温度：-55 to 150℃
连续二极管正向电流：18A
二极管脉冲电流：93A
漏源击穿电压：600V
栅极阈值电压：3V
零栅极电压漏极电流：5µA
栅极-源极泄漏电流：100 nA
漏极源导通状态电阻：0.09Ω
栅极电阻：1.3Ω
输入电容：2800 pF
输出电容：130 pF
开通延迟时间：10 ns
关断延迟时间：60 ns
二极管正向电压：0.9V
反向恢复时间：450 ns
IPB60R099CP特征：
TO263中的最佳Rds
超低栅极电荷
极限dv/dt额定值
高峰值电流能力
符合JEDEC标准的目标应用
无铅电镀；符合RoHS要求
标签：英飞凌,栅极,Infineon,MOS,漏极,电压,ns,电流,IPB60R099CP From： https://www.cnblogs.com/qyx3868/p/17412412.html