• 2024-09-08OLED
    OLED:有机发光二极管,又称为有机激光显示ASCII字符:http://c.biancheng.net/c/ascii/内码:计算机使用的二进制字符编码,就叫内码,简称编码。将字符显示在OLED上:1,显示字符,必须先有其点阵数据,点阵数据的集合,叫做字库2,单片机根据点阵数据按取模方向进行描点还原,就能显示字符3,A
  • 2024-09-03存储器的分类及其特点
    只读存储器ROM原文来自ROM的分类(https://www.cnblogs.com/softhal/p/5640847.html)FLASH部分的原文(https://blog.csdn.net/xinxinyouyi/article/details/100571824)随机访问存储器RAM(RANDMONACCESSMEMORY)原文(https://blog.csdn.net/qq_42973834/article/details/108676693)
  • 2024-09-03linux 硬件 arm架构
    一.ARM:1.时钟晶振:        在单片机系统里晶振的作用非常大,他结合单片机内部的电路,产生单片机所必须的时钟频率,单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的,晶振的提供的时钟频率越高,那单片机的运行速度也就越快。2.系统复位:        这个复位会使整个芯
  • 2024-09-01八、2 DMA数据转运 DMA函数介绍
    把数组定义在Flash中,可以节省SRAM的空间去掉const不会影响程序运行,但会占用SRAM的空间1、步骤(1)RCC开启DMAD的时钟(2)调用DMA_Init,初始化参数(3)调用DMA_Cmd,通道使能若使用硬件触发,要调用×××_DMACmd开启对应外设的触发信号的输出;若需要DMA的中断,就调用DMA_ITConfig,开
  • 2024-08-27stm32f103c8t6 程序编译后的 Program Size: Code=xxx RO-data=xxx RW-data=xxx ZI-data=xxx 是什么
            之前在裸机跑一些简单的项目内存完全够用,就不会涉及到内存方面的问题。最近在学FreeRTOS时,将大容量的stm32f103rct6代码移植到小容量的stm32f103c8t6上时,就遇到了内存不足的问题,所以才注意到这些东西。    那么在我们编译后看到的这些东西到底
  • 2024-08-21A 3nm, 32.5TOPS/W, 55.0TOPS/mm2 and 3.78Mb/mm2 Fully-Digital Compute-in-Memory Macro Supporting INT1
    1、强调存储密度(StorageDensity)Mb/mm2,存算一体的主要目的是减少数据搬运的开销,如果一味的堆计算单元而损失存储密度,那么虽然整体的计算吞吐率(TOPS)可以做到很大,相应的对计算密度也会有提升,但是由于需要频繁给CIMMacro刷新数据,从系统能效的角度上来说反而是下降的。这次的SRAMArr
  • 2024-08-20A 4nm 6163-TOPS/W/b 4790-TOPS/mm2/b SRAM Based Digital-Computing-in-Memory Macro Supporting Bit-Widt
    SRAMarray和Localadder耦合在一起形成一个块,两个块share一个semi-global-adder,四个块再去shareGlobaladder和移位累加器。这样的floorplan使得整体结构上不存在一大块独立的巨型多级加法树,使得布局变得更加的规整。这里讨论了mix-Vt设计的问题,即混用高Vt管子和低Vt管子,高Vt
  • 2024-08-07LVGL入门了解
    GUI简介GUI:图形用户界面,是指采用图形方式显示计算机[泛称,指人机交互的机器]操作用户界面。GUI库:图形用户界面库,调用GUI库的函数即可快速绘制所需的用户界面。GUI库优势:开发难度低(有可以设计GUI的软件,大大降低门槛)可移植性高(只要硬件达到要求,适配也做好,就可以直接使用GUI库)风
  • 2024-08-06SRAM的Write Assist与Read Assist
    SRAM的WriteAssist与ReadAssist简介随着工艺节点的不断提升,诸如阈值电压的偏差,以及供电电压的减小,寄生电阻电容的影响等,都会越来越影响SRAM的稳定性。因此需要通过writeAssist和ReadAssist方法来提升SRAM的写入能力,可读性以及稳定性。具体来说,以一个典型的6TSRAM结构为例:
  • 2024-08-06SRAM和DRAM
    SRAM和DRAM的比较SDRAM(同步动态随机存取存储器,英语:synchronousdynamicrandom-accessmemory)也是DRAM的一种DRAM的刷新DRAM的刷新需要注意以下问题:刷新操作对CPU是透明的,即CPU不参与DRAM的刷新过程DRAM的刷新单位是行,由芯片内部自行生成行地址刷新操作类似于读操
  • 2024-07-30SRAM&DRAM
    SRAM(StaticRandomAccessMemory)和DRAM(DynamicRandomAccessMemory)是两种常见的计算机内存类型,它们在结构、工作原理和性能特点上有一些显著的区别:1.结构:•SRAM:SRAM使用触发器(flip-flops)来存储数据,每个存储单元由多个晶体管构成,因此SRAM的存储单元比较
  • 2024-07-23STM32 芯片架构
    STM32芯片架构把STM32想像类比成一台电脑。CPU通过总线(Bus)控制各类外设。各部分功能如下:CPU:包含运算器,控制器及若干寄存器,是单片机的控制和指挥中心。ROM(STM32中称为FLASH):用于存放程序和数据,为只读储存器。更改(擦除)和写入程序都较为麻烦,需要遵守FLASH相关的
  • 2024-07-16SRAM CIM的后续发展之我见
    SRAMCIM的后续发展之我见目前CIM技术已经应用在诸多存储器上,如主流存储器SRAM,DRAM,Flash,以及新型NVM,如RRAM,PCM,FeRAM,MRAM等。其中SRAMCIM是一个进展较快的方向,主要受益于其工艺上的成熟性,与CMOS先进工艺的高度兼容,并且SRAM的高速度也是SRAMCIM性能上的一个重要优势。工业界对于
  • 2024-07-15(138)SRAM接口--->(001)基于FPGA实现SRAM接口
    1目录(a)FPGA简介(b)IC简介(c)Verilog简介(d)基于FPGA实现SRAM接口(e)结束1FPGA简介(a)FPGA(FieldProgrammableGateArray)是在PAL(可编程阵列逻辑)、GAL(通用阵列逻辑)等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电
  • 2024-07-15(137)SRAM接口--->(004)基于FPGA实现SRAM接口
    1目录(a)FPGA简介(b)IC简介(c)Verilog简介(d)基于FPGA实现SRAM接口(e)结束1FPGA简介(a)FPGA(FieldProgrammableGateArray)是在PAL(可编程阵列逻辑)、GAL(通用阵列逻辑)等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电
  • 2024-07-01F407在RAM中调试
    在RAM中调试代码一.软硬件操作硬件方面需要先修改BOOT0和BOOT1的引脚的高低电平。SRAM运行模式BOOT0和BOOT1都是高电平。软件方面:1.需要先取消勾选UseMemoryLayoutfromTargetDialog,点击下方的Edit编辑.sct2.修改.sct分散加载文件原始文件LR_IROM10x080000000x0008
  • 2024-06-02为什么GD32F303代码运行在flash比sram更快?
    我们知道一般MCU的flash有等待周期,随主频提升需要插入flash读取的等待周期,以stm32f103为例,主频在72M时需要插入2个等待周期,故而代码效率无法达到最大时钟频率。所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些,这是为什么
  • 2024-06-02stm32 f4 SRAM
        备用SRAM是很好的临时数据保存单元,一些需要掉电后保存的数据建议使用备用SRAM保存,只有需要永久保存的数据再用FLASH进行保存。SRAM地址范围电源与复位相关的库文件(备用域的电池管理)#ifndefBKPSRAM_BKPSRAM_H_#defineBKPSRAM_BKPSRAM_H_#include"stm32
  • 2024-05-28ASAP7nm PDK介绍
    ASAP7nmPDK介绍概述最近在调研后面教学用的PDK,考虑到需要给学生发的PDK尽量绕开版权问题,因此FoundryPDK是不敢用的,大概把Synopsys家的SAED28_32nm,Cadence家的GPDK45nm,以及几个开源PDK都大概看了一下,目前倾向于用ASAP7nm这个PDK。来说一下主要的分析和考量,首先C家和S家给的PDK
  • 2024-05-25单片机 内存管理
    首先,我们用keil编译器将写完的单片机代码全部编译后,编译窗口会输出以下信息:可以看到,编译之后的运行文件被分成Code,RO-data,RW-data,ZI-data四部分存放于单片机的SRAM和FLASH中。Code:代码占用的flash大小。RO-data[read-onlydata]:只读常量(包括const修饰变量和defi
  • 2024-05-15Digital SRAM-CIM for MAC
    An8TSRAMBasedDigitalCompute-In-MemoryMacroForMultiply-And-AccumulateAcceleratingintroduction相比模拟counterparts,数字CIM具有灵活的可编程性、推理精度等优势。然而,先前的工作采用复杂的SRAMbit-cells和计算部件,导致了较大的面积负担。本文提出了一种8TSRAMb
  • 2024-05-08Keil编译后的Code,RO,RW,ZI等相关
    在使用keil开发STM32应用程序时,点击Build后在BuildOutput窗口中经常会有如下信息:以前一直好奇这几个参数和实际使用的STM32芯片中Flash和SRAM的对应关系,于是上网搜了一圈,做如下总结:这些参数的单位是Byte图中几个参数分别代表 Code:代码的大小RO:常量所占空间(加了const修饰
  • 2024-05-08STM32堆和栈(Heap & Stack)及SRAM存储使用
    编译一个程序,出现下面的信息:明明程序没有什么内容,为什么变量大小就有RW+ZI=52+1836=1888字节大小了呢,就已经使用了1888字节的SRAM空间。让我们打开map文件:可以看到每个文件所使用的SRAM大小,比如delay文件使用了4个字节,地址从0x20000014到0x20000017。其中可以看到HEAP和STACK
  • 2024-04-25CIM | RRAM SRAM Fusion CIM 论文阅读
    CIM发展这么多年,RRAMCIM和SRAMCIM各自精彩。前几天TSMC+新竹清华的张孟凡老师团队在Science上发表RRAM+SRAMCIM的FusionCIM工作[1]。ReviewDigitalSRAMCIM相较其他主流AI加速器范式区别不大,也是最promising接近商用的路线(今年ISSCC已有工业界Axelera
  • 2024-04-08esp32-C3
    一、esp端        ESP32由EspressifSystems打造,是一款低成本、低功耗的系统具有Wi-Fi和双模蓝牙功能的片上(SoC)系列!ESP32系列包括芯片 ESP32-D0WDQ6(和ESP32-D0WD), ESP32-D2WD 电子版, ESP32-S0WD系列,以及系统级封装(SiP)ESP32-PICO-D4。它的核心是双核或单