PSRAM（Pseudo SRAM，伪静态随机存取存储器）与SRAM（静态随机存取存储器）存在多方面区别：
### 技术原理
- **SRAM**：利用双稳态触发器（由多个晶体管组成）来存储数据。只要电源持续供电，触发器就能保持其存储的状态，不需要额外的刷新操作，数据可以随时被读取和写入。
- **PSRAM**：本质上是一种特殊的DRAM（动态随机存取存储器），它通过内部的硬件电路模拟SRAM的接口，使得外部看起来像SRAM一样操作简单。但内部存储数据的基本单元仍是电容，需要定期刷新以保持数据的正确性。
### 性能特点
- **速度**：
- **SRAM**：速度非常快，能够在极短的时间内完成数据的读写操作，通常在几纳秒到几十纳秒之间。这使得它适用于对速度要求极高的场景，如高速缓存（Cache）。
- **PSRAM**：虽然在接口上模拟SRAM，但由于其内部基于DRAM技术，读写速度相对SRAM要慢，一般在几十纳秒到上百纳秒之间。
- **容量**：
- **SRAM**：由于其存储单元结构复杂，每个存储单元需要较多的晶体管，导致其集成度相对较低，相同芯片面积下，SRAM的容量较小，常见的SRAM容量在几KB到几MB之间。
- **PSRAM**：基于DRAM技术，存储单元结构简单，集成度高，相同芯片面积下可以实现更大的容量，PSRAM的容量通常可以达到几十MB甚至更高。
### 功耗与成本
- **功耗**：
- **SRAM**：由于存储单元始终保持数据状态，即使没有读写操作，也需要消耗一定的电量来维持触发器的状态，因此静态功耗较高。
- **PSRAM**：虽然在读写操作时的功耗与SRAM相近，但由于其内部采用类似DRAM的电容存储数据，在没有读写操作时，只需定期进行少量的刷新操作，整体功耗相对较低。
- **成本**：
- **SRAM**：由于其集成度低、制造工艺复杂，成本较高，在大容量应用中成本更为显著。
- **PSRAM**：凭借高集成度和相对简单的制造工艺，成本较低，适合对成本敏感且对速度要求不是极高的大容量存储应用。
### 应用场景
- **SRAM**：常用于对速度要求极高的场合，如CPU的一级缓存（L1 Cache）、二级缓存（L2 Cache），以及高速信号处理、网络设备中的高速数据缓冲等。
- **PSRAM**：适用于对成本和容量有要求，同时对速度要求相对不那么苛刻的应用场景，如一些中低端的嵌入式系统、物联网设备、消费电子产品中的数据存储和缓存等。