打开artery的AN0026应用笔记（AN0026_Extending_SRAM_in_User's_Program_ZH_V2.0.0.pdf），可以看到AT32的出厂预设的SRAM的大小为96K字节，可以修改EOPB0扩展到224K字节。EOPB0的寄存器设置如下，根据下方可知需要将EOPB0的0-7位设置位0xFE。但是在设置EOPB0之后，必须执行系统复位的命

目的：保护单片机里的固件或代码不被读取出来通过代码配置 STM32的寄存器来实现读取保护（RDP）和调试接口锁定，可以采用以下方式：1.启用读取保护（RDP）可以在代码中配置RDP级别。例如在STM32F4系列中，RDP的设置存储在选项字节（OptionBytes）中。RDP的配置可以通过STM32HAL库

很早前看到知乎的这篇回答[1]，技术栈太浅薄不能理解spatialcomputing的核心问题，而今年groq、tensotorrent、SambaNova各种新鲜技术范式出现层出不穷，把我的胃口吊得高高的，遂调研spatialcomputing。DataflowAccelerator(i.e.Graph-basedAccelerator)扯到spatialcomput

OLED：有机发光二极管，又称为有机激光显示ASCII字符:http://c.biancheng.net/c/ascii/内码:计算机使用的二进制字符编码，就叫内码，简称编码。将字符显示在OLED上:1，显示字符，必须先有其点阵数据，点阵数据的集合，叫做字库2，单片机根据点阵数据按取模方向进行描点还原，就能显示字符3，A

只读存储器ROM原文来自ROM的分类（https://www.cnblogs.com/softhal/p/5640847.html）FLASH部分的原文（https://blog.csdn.net/xinxinyouyi/article/details/100571824）随机访问存储器RAM（RANDMONACCESSMEMORY）原文（https://blog.csdn.net/qq_42973834/article/details/108676693）

一.ARM：1.时钟晶振：        在单片机系统里晶振的作用非常大，他结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。2.系统复位：        这个复位会使整个芯

把数组定义在Flash中，可以节省SRAM的空间去掉const不会影响程序运行，但会占用SRAM的空间1、步骤（1）RCC开启DMAD的时钟（2）调用DMA_Init，初始化参数（3）调用DMA_Cmd，通道使能若使用硬件触发，要调用×××_DMACmd开启对应外设的触发信号的输出；若需要DMA的中断，就调用DMA_ITConfig，开

        之前在裸机跑一些简单的项目内存完全够用，就不会涉及到内存方面的问题。最近在学FreeRTOS时，将大容量的stm32f103rct6代码移植到小容量的stm32f103c8t6上时，就遇到了内存不足的问题，所以才注意到这些东西。    那么在我们编译后看到的这些东西到底

1、强调存储密度（StorageDensity）Mb/mm2，存算一体的主要目的是减少数据搬运的开销，如果一味的堆计算单元而损失存储密度，那么虽然整体的计算吞吐率（TOPS）可以做到很大，相应的对计算密度也会有提升，但是由于需要频繁给CIMMacro刷新数据，从系统能效的角度上来说反而是下降的。这次的SRAMArr

SRAMarray和Localadder耦合在一起形成一个块，两个块share一个semi-global-adder，四个块再去shareGlobaladder和移位累加器。这样的floorplan使得整体结构上不存在一大块独立的巨型多级加法树，使得布局变得更加的规整。这里讨论了mix-Vt设计的问题，即混用高Vt管子和低Vt管子，高Vt

GUI简介GUI：图形用户界面，是指采用图形方式显示计算机[泛称，指人机交互的机器]操作用户界面。GUI库：图形用户界面库，调用GUI库的函数即可快速绘制所需的用户界面。GUI库优势：开发难度低（有可以设计GUI的软件，大大降低门槛）可移植性高（只要硬件达到要求，适配也做好，就可以直接使用GUI库）风

SRAM的WriteAssist与ReadAssist简介随着工艺节点的不断提升，诸如阈值电压的偏差，以及供电电压的减小，寄生电阻电容的影响等，都会越来越影响SRAM的稳定性。因此需要通过writeAssist和ReadAssist方法来提升SRAM的写入能力，可读性以及稳定性。具体来说，以一个典型的6TSRAM结构为例：

SRAM和DRAM的比较SDRAM（同步动态随机存取存储器，英语：synchronousdynamicrandom-accessmemory）也是DRAM的一种DRAM的刷新DRAM的刷新需要注意以下问题:刷新操作对CPU是透明的，即CPU不参与DRAM的刷新过程DRAM的刷新单位是行，由芯片内部自行生成行地址刷新操作类似于读操

SRAM（StaticRandomAccessMemory）和DRAM（DynamicRandomAccessMemory）是两种常见的计算机内存类型，它们在结构、工作原理和性能特点上有一些显著的区别：1.结构：•SRAM：SRAM使用触发器（flip-flops）来存储数据，每个存储单元由多个晶体管构成，因此SRAM的存储单元比较

STM32芯片架构把STM32想像类比成一台电脑。CPU通过总线（Bus）控制各类外设。各部分功能如下：CPU：包含运算器，控制器及若干寄存器，是单片机的控制和指挥中心。ROM(STM32中称为FLASH)：用于存放程序和数据，为只读储存器。更改（擦除）和写入程序都较为麻烦，需要遵守FLASH相关的

SRAMCIM的后续发展之我见目前CIM技术已经应用在诸多存储器上，如主流存储器SRAM，DRAM，Flash，以及新型NVM，如RRAM，PCM，FeRAM，MRAM等。其中SRAMCIM是一个进展较快的方向，主要受益于其工艺上的成熟性，与CMOS先进工艺的高度兼容，并且SRAM的高速度也是SRAMCIM性能上的一个重要优势。工业界对于

1目录（a）FPGA简介（b）IC简介（c）Verilog简介（d）基于FPGA实现SRAM接口（e）结束1FPGA简介（a）FPGA（FieldProgrammableGateArray）是在PAL（可编程阵列逻辑）、GAL（通用阵列逻辑）等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电

1目录（a）FPGA简介（b）IC简介（c）Verilog简介（d）基于FPGA实现SRAM接口（e）结束1FPGA简介（a）FPGA（FieldProgrammableGateArray）是在PAL（可编程阵列逻辑）、GAL（通用阵列逻辑）等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电

在RAM中调试代码一.软硬件操作硬件方面需要先修改BOOT0和BOOT1的引脚的高低电平。SRAM运行模式BOOT0和BOOT1都是高电平。软件方面：1.需要先取消勾选UseMemoryLayoutfromTargetDialog，点击下方的Edit编辑.sct2.修改.sct分散加载文件原始文件LR_IROM10x080000000x0008

我们知道一般MCU的flash有等待周期，随主频提升需要插入flash读取的等待周期，以stm32f103为例，主频在72M时需要插入2个等待周期，故而代码效率无法达到最大时钟频率。所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些，这是为什么

    备用SRAM是很好的临时数据保存单元，一些需要掉电后保存的数据建议使用备用SRAM保存，只有需要永久保存的数据再用FLASH进行保存。SRAM地址范围电源与复位相关的库文件（备用域的电池管理）#ifndefBKPSRAM_BKPSRAM_H_#defineBKPSRAM_BKPSRAM_H_#include"stm32

ASAP7nmPDK介绍概述最近在调研后面教学用的PDK，考虑到需要给学生发的PDK尽量绕开版权问题，因此FoundryPDK是不敢用的，大概把Synopsys家的SAED28_32nm，Cadence家的GPDK45nm，以及几个开源PDK都大概看了一下，目前倾向于用ASAP7nm这个PDK。来说一下主要的分析和考量，首先C家和S家给的PDK

首先，我们用keil编译器将写完的单片机代码全部编译后，编译窗口会输出以下信息：可以看到，编译之后的运行文件被分成Code,RO-data,RW-data,ZI-data四部分存放于单片机的SRAM和FLASH中。Code:代码占用的flash大小。RO-data[read-onlydata]:只读常量（包括const修饰变量和defi

An8TSRAMBasedDigitalCompute-In-MemoryMacroForMultiply-And-AccumulateAcceleratingintroduction相比模拟counterparts，数字CIM具有灵活的可编程性、推理精度等优势。然而，先前的工作采用复杂的SRAMbit-cells和计算部件，导致了较大的面积负担。本文提出了一种8TSRAMb

在使用keil开发STM32应用程序时，点击Build后在BuildOutput窗口中经常会有如下信息：以前一直好奇这几个参数和实际使用的STM32芯片中Flash和SRAM的对应关系，于是上网搜了一圈，做如下总结：这些参数的单位是Byte图中几个参数分别代表 Code：代码的大小RO：常量所占空间（加了const修饰