我们知道一般MCU的flash有等待周期，随主频提升需要插入flash读取的等待周期，以stm32f103为例，主频在72M时需要插入2个等待周期，故而代码效率无法达到最大时钟频率。所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些，这是为什么

    备用SRAM是很好的临时数据保存单元，一些需要掉电后保存的数据建议使用备用SRAM保存，只有需要永久保存的数据再用FLASH进行保存。SRAM地址范围电源与复位相关的库文件（备用域的电池管理）#ifndefBKPSRAM_BKPSRAM_H_#defineBKPSRAM_BKPSRAM_H_#include"stm32

ASAP7nmPDK介绍概述最近在调研后面教学用的PDK，考虑到需要给学生发的PDK尽量绕开版权问题，因此FoundryPDK是不敢用的，大概把Synopsys家的SAED28_32nm，Cadence家的GPDK45nm，以及几个开源PDK都大概看了一下，目前倾向于用ASAP7nm这个PDK。来说一下主要的分析和考量，首先C家和S家给的PDK

首先，我们用keil编译器将写完的单片机代码全部编译后，编译窗口会输出以下信息：可以看到，编译之后的运行文件被分成Code,RO-data,RW-data,ZI-data四部分存放于单片机的SRAM和FLASH中。Code:代码占用的flash大小。RO-data[read-onlydata]:只读常量（包括const修饰变量和defi

An8TSRAMBasedDigitalCompute-In-MemoryMacroForMultiply-And-AccumulateAcceleratingintroduction相比模拟counterparts，数字CIM具有灵活的可编程性、推理精度等优势。然而，先前的工作采用复杂的SRAMbit-cells和计算部件，导致了较大的面积负担。本文提出了一种8TSRAMb

在使用keil开发STM32应用程序时，点击Build后在BuildOutput窗口中经常会有如下信息：以前一直好奇这几个参数和实际使用的STM32芯片中Flash和SRAM的对应关系，于是上网搜了一圈，做如下总结：这些参数的单位是Byte图中几个参数分别代表 Code：代码的大小RO：常量所占空间（加了const修饰

编译一个程序，出现下面的信息：明明程序没有什么内容，为什么变量大小就有RW+ZI=52+1836=1888字节大小了呢，就已经使用了1888字节的SRAM空间。让我们打开map文件：可以看到每个文件所使用的SRAM大小，比如delay文件使用了4个字节，地址从0x20000014到0x20000017。其中可以看到HEAP和STACK

CIM发展这么多年，RRAMCIM和SRAMCIM各自精彩。前几天TSMC+新竹清华的张孟凡老师团队在Science上发表RRAM+SRAMCIM的FusionCIM工作[1]。ReviewDigitalSRAMCIM相较其他主流AI加速器范式区别不大，也是最promising接近商用的路线（今年ISSCC已有工业界Axelera

一、esp端        ESP32由EspressifSystems打造，是一款低成本、低功耗的系统具有Wi-Fi和双模蓝牙功能的片上（SoC）系列！ESP32系列包括芯片 ESP32-D0WDQ6（和ESP32-D0WD）， ESP32-D2WD 电子版， ESP32-S0WD系列，以及系统级封装（SiP）ESP32-PICO-D4。它的核心是双核或单

1.FSMC简介​ STM32F4系列芯片使用FSMC外设来管理扩展的存储器，FSMC是FlexibleStaticMemoryController的缩写，译为灵活的静态存储控制器。它可以用于驱动包括SRAM、NORFLASH以及NANDFLSAH类型的存储器，不能驱动如SDRAM这种动态的存储器而在STM32F429系列的控制器中，它具有FM

1.SRAM控制原理​ STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间，但当程序较大，内存和程序空间不足时，就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。STM32F407系列芯片可以扩展外部SRAM用作内存。型号为IS62WV51216的SRAM芯片外观：SRAM芯片的内部功能框

从ICAC2024聊聊CIMtrend刚参加完今年在上海举办的ICAC2024，体验很好，从各位老师同学处学到很多。我是做CIM的，所以两个CIMSession一个不落，另外因为对Processor感兴趣，EffientDigitalCircuitSession和LowPowerSoCSession也去学习了一下。因为大部分工作在ISSCC上已经了解过

ICVerificationFlow阅读designspecification编写验证计划搭建验证平台编写testcaseregression回归测试:周期往复的进行回归验证,为测试案例提供不同的seed分析代码/功能覆盖率写测试报告SRAMCDesignSpec可以到ICFrontEndDesign中的项目中找SRAMC的设计AHB_SRA

AHB-SoC芯片架构地址空间各个IP都有自己的地址空间,CPU根据地址空间进行访问外设Spec内容FeaturesSpecificationArchitectureTiming:BasicTransferAHBTransactionExampleAHBBurstTransactionAHBResponseAHBSlaveInterfaceSRAMSpecification

问题：半导体存储器按功能分为两大类,即()A、ROM,RAMB、ROM,EPROMC、SRAM,DRAMD、ROM,EEPROM参考答案如图所示

1、准备材料开发板（正点原子stm32f407探索者开发板V2.4）STM32CubeMX软件（Version6.10.0）野火DAP仿真器keilµVision5IDE（MDK-Arm）ST-LINK/V2驱动XCOMV2.6串口助手2、实验目标使用STM32CubeMX软件配置STM32F407开发板的FSMC实现以轮询或DMA的方式读写IS62WV51216（SRAM）芯片3、

CIM技术经典导读之数字SRAMCIM技术序言啊哈，挖个新坑，计划把我这边自己感觉比较classic的一些CIM工作给整理出来，和读者们一起分享讨论，论文的主要来源会挑选ISSCC，VLSI上的文章，如何评价是否classic这个主要是根据我自己的感觉来，可能也会参照一下highlightpaper或者引用量这些指标，

规格说明现在要对addr1进行操作(原addr1中存储的数据为data),现在需要写入data1,下一拍对addr1进行读操作,需要读出data1(读出最新的数据data1,而不是data),这时候需要一个buffer,将上一拍的data1作为读数据进行返回,因为data1可能还没有写到sram中.接口AHB读时序AHB写时

链接如下：https://blog.csdn.net/i_chip_backend/article/details/121130370?spm=1001.2014.3001.5502https://blog.csdn.net/i_chip_backend/article/details/121662466?spm=1001.2014.3001.5502https://blog.csdn.net/i_chip_backend/article/details/122411816?s

FIFO有一个读口和一个写口，读写时钟一致是同步FIFO，时钟不一致就是异步FIFOIP设计中通常使用的是同步FIFO异步FIFO通常使用在跨时钟域设计中RAM(RandomAccessMemory)的设计FIFO中的数据可以存储在寄存器中或者SRAM中，FIFO的容量比较小的时候，使用register,FIFO容量比较大的时

ROM、RAM是可读与可读可写存储器的一种框架，DRAM、SRAM、SDRAM是基于RAM框架的一种实现ROM:掉电不丢失,比如电脑的硬件磁盘RAM:掉电就会丢失,作为ROM与客户进行交互时提高反馈效率的一个中间介质,类似的还有CacheDRAM:全拼DynamicRandomAccessMemory(动态随机存储器)SRA

ISSCC2024Computing-In-MemorySession趋势整理今天上午ISSCC2024远东区推介会，主要关注了一下Computing-In-MemorySession。CIM今年被放在了Session34，会上主持人透露CIM方向一共投稿了50篇，最后录用了9篇，算下来录用率不到20%，不得不感慨一句相当之卷。言归正题，以下是今年CIMS

本文作为一个笔记，复习一下计算内存相关知识，主要是参考：合集·CSAPP-深入理解计算机系统下面说一下储存器部分，当前计算机的储存有这么几种，寄存器是最快的，其次是几级缓存，最后是内存，从硬盘中拿数据是最慢的先说一下主要的两种内存：SRAM和DRAM他们的原理分别是：1、SRAM将每个bit

SRAMC主要是对SRAM进行控制对于SRAM的逻辑,根据地址将数据存储到SRAM中,然后根据地址将SRAM中的数据读取出来如何测试Memory,生产工艺原因造成的问题，采用DFT或者Bist测试方法DFT-在代码中加入测试逻辑,之后通过这部分逻辑对芯片进行测试Whatismanufacturingtest?芯

目录简介数字芯片会用到两种工艺,一种是Flashprocess工艺,芯片内部可以跑程序,没有程序,芯片就是一个砖头,程序存储与芯片内部的Flash中;另外一种就是LogicProcess,逻辑工艺,不带Flash存储体,将程序放在NorFlash或者NandFlash中,总之是放在芯片外部的存储体中,通过芯片中