只读存储器ROM 原文来自 ROM的分类（https://www.cnblogs.com/softhal/p/5640847.html）
FLASH 部分的原文（https://blog.csdn.net/xinxinyouyi/article/details/100571824）
随机访问存储器 RAM（RANDMON ACCESS MEMORY）原文（https://blog.csdn.net/qq_42973834/article/details/108676693）

存储器的分类及其特点

只读存储器ROM 的分类：

ROM 一般分为三种：

• PROM 一次可编程只读存储器
• 可擦除只读存储器 其中根据擦除的方式不同，分为紫外线擦除电写入EPROM；电擦除电写入E2PROM
• 固定内容的ROM

各自的特点

• 固定内容的ROM ：固定内容的ROM是通过淹模工艺制作的，其内容在出场时就已按照要求固定，用户无法更改。这种ROM存储的信息在断电之后依然能够稳定的保存其中的信息。常用来存储固定的程序和数据。
• 一次性可擦 PROM ：这种存储器在出厂时未存入数据信息，用户可按照设计要求将所需存入的数据写入PROM，一旦写如则无法修改。其原理时用足够大的电流熔断熔丝。
• 电写入紫外线擦除的EPROM 和 电写入电擦除的EEPROM： 多次可擦除和编程的存储器。EPROM内容的改写不简单，在使用过程中EOROM的内容是不能更改的，想要改写EPROM的内容需要将芯片从电路板上取下，将储存器的一块石英玻璃串口对准紫外光照射数分钟，让储存的数据消失。擦除时间10min~30min。 EEPROM 是一种电写入电擦除的只读存储器。

flash 的分类

flash memory 快闪存储器：是新一代EEPROM 它具有EEPROM 擦除的快速性 安全又可靠 带电擦除

• NOR flash： nor flash 数据线和地址线先分开，可以实现想RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。一般大小为2M~12M 容易出故障 可以字节寻址所以程序几乎在NORFLASH中运行 或存储引导代码。
• NANDFLASH 同样是按快块擦除，但是数据线和地址线复用，不能随机寻址。读取只能按页来读取数据，NANDFLASH 的引脚复用所以读取速度慢一点但是擦除和写入速度币NORFLAHS 快很多，大容量的FLASH 都是NANDFLASH。可多次擦除 存放文件系统和内核。

FLASH的用途

FLASH是用来放程序的，可以称之为程序储存器，擦除写入都是整个扇区进行的。单片机用它来放代码。

FLASH的特点

• 按扇区进行操作
• 电路结构比较简单 成本低
• 主要用来存储程序

RAM

RAM是一种易失性的随机存储器，断电之后其内部存储的信息会消失，是与CPU直接交换数据的内部存储器，随时读写速度快。通常为操作系统存储程序的临时数据。

RAM的分类

• SRAM static Random Access Memory 随机存储器的一种。其中static 意味着 只要储存器不断电里面的数据就能一种保存下去，SRAM不需要刷新电路就能保存其中的信息。但是集成度底体积比上容积 的大小 比 DRAM 小（DRAM更高效） SRAM 比DRAM 贵，用的材料多。
• DRAM dynamic Random access memory 动态随机存取存储器。最常见的系统内存。DRAM之中的数据只能保持很短的时间，为了能够持续保存数据，必须每隔一段时间刷新一次。

SRAM的分类

SRAM 又可以细分为两类 ：同步SRAM 和异步SRAM。

• 异步SRAM 的访问独立于时钟，数据输入和输出都有地址变化控制
• 同步SRAM的所有访问都在时钟的上升或者下降启动，数据输入输出与时钟信号有关。

DRAM的分类

DRAM 也可以细分为两类： 同步DRAM -SDRAM 和异步DRAM

• SDRAM是DRAM的一种，利用一个点一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。DDR 和 DDR2 和 DDR3就是SDRAM的一种。
• 异步SRAM比较少见。