AMD为MicroBlaze提供BootLoader，比如SRECBootLoader。它能将代码从QSPIFlash搬移到目标存储器（多半是DRAM）运行，使MicroBlaze运行大程序成为可能。如果MicroBlaze的BlockDesign设计有问题，比如BlockDesign设计中把DRAM链接到了DP（外设）端口，DRAM不能正常运行程序，也会导致BootLoade

在过去的十年里，数据中心和服务器行业经历了前所未有的扩张，这一进程伴随着CPU核心数量、内存带宽(BW)，以及存储容量的显著增长。这种超大规模数据中心的扩张不仅带来了对计算能力的急剧需求，也带来了前所未有的内存功率密度挑战，类似于移动设备中遇到的问题。因此，提高DRAM的能效成

南桥&北桥&内存结构每个程序员都应该了解的内存知识.pdf-p5-每个程序员都应该了解的内存知识-P5-20240327103419​​功能每个程序员都应该了解的内存知识.pdf-p5-每个程序员都应该了解的内存知识-P5-20240327104347​​北桥主要是连接CPU以及RAM以及南桥,作为连

今天看了一篇IT之家关于AMD处理器受RowHammer内存攻击影响的报道，心血来潮了解了一下RowHammer攻击的原理，把了解到的知识记录下来。RowHammer攻击是一种相对较新的攻击方式，它利用了现代动态随机存取存储器（DRAM）的物理缺陷，这种攻击方式不同于传统的软件漏洞利用，它直接针对

近日小编看到PureStorage公司的研发高级副总裁肖恩·罗斯马林(ShawnRosemarin)的一个观点“由于DRAM的局限性，固态硬盘(SSD)的容量难以突破30TB”。这个观点不是完全准确，实际上，Solidigm已经发布了最大容量61.44TBQLCSSD。但是，这个观点背后的逻辑依然是业内在提升SSD容

`uint16_tbuf[6]attribute((at(0xd0000000)))={0};//将缓冲数组分配到外部dram中。voidTestDram(void){uint16_txxx[6]={0x1111,0x2222,0x3333,0x4444,0x5555,0x6666};for(inti=0;i<5;i++){buf[i]=xxx[i];}for(inti=0;i<5;i++){ if(xxx[i]!

1.随机访问存储器(RAM)1.静态RAM(SRAM)常用来做cache。SRAM存储器单元只要有电，就会永远保持它的值。2.动态RAM(DRAM)常用来做内存。DRAM每个位存储为电容充电。因为有很多原因会导致漏电，所以内存系统必须周期性地通过读出数据，重写来刷新内存的每一位。3.传统DRAM下图

根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NANDFlash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格，涨幅预计将达到15%-20%。业内分析师指出，上游制造商的关注点正在从NAND转移到DRAM，特别是DDR4和DDR5等型号，成为下一轮价格上涨的关键推动力。据百能

DDR和DRAM的关系DDR（DoubleDataRate）和DRAM（DynamicRandomAccessMemory）是两个相关但不同的概念，它们通常一起使用，但表示的是不同的层面。DRAM（DynamicRandomAccessMemory）：定义：DRAM是一种随机存取存储器，用于在计算机系统中存储数据和程序。它属于一种动态存储器，意味着需

ROM、RAM是可读与可读可写存储器的一种框架，DRAM、SRAM、SDRAM是基于RAM框架的一种实现ROM:掉电不丢失,比如电脑的硬件磁盘RAM:掉电就会丢失,作为ROM与客户进行交互时提高反馈效率的一个中间介质,类似的还有CacheDRAM:全拼DynamicRandomAccessMemory(动态随机存储器)SRA

​MMC相关命令​编辑​编辑FAT格式文件系统操作命令存储器的分类整理(SRAM/DRAM/NORFLASH/NandFLASH)_norflashsram-CSDN博客fatinfo查询MMC设备分区的文件系统信息fatinfommc1:1fatls查询FAT格式设备的目录和文件信息fatlsmmc1:1fstype 用于查看MMC设备

记录一下之前不被我重视的知识点重难点总结1、存储器的分类 ⭐⭐⭐2、主存储器 ⭐⭐⭐⭐3、外部存储器 ⭐⭐4、高速缓冲存储器 ⭐⭐⭐⭐⭐5、虚拟存储器 ⭐⭐⭐⭐⭐存储器的分类考点存储器的类型、求存储速度、主存带宽按存取方式分随机存储器(RAM).

1.1help或者？1.1.1help+具体命令?bootz或helpbootz1.2信息查询1.2.1bdinfo1.2.2printenv1.2.3version1.3环境变量1.3.1setenv设定环境变量设置bootdelay时间为5s.setenvbootdelay5saveenvsetenvauthorzuozhongkaisaveenv新建环境变量也是用s

本文作为一个笔记，复习一下计算内存相关知识，主要是参考：合集·CSAPP-深入理解计算机系统下面说一下储存器部分，当前计算机的储存有这么几种，寄存器是最快的，其次是几级缓存，最后是内存，从硬盘中拿数据是最慢的先说一下主要的两种内存：SRAM和DRAM他们的原理分别是：1、SRAM将每个bit

近期，半导体市场开始传递复苏信号，国内大型半导体制造商纷纷提到明年将迎来多款消费性电子产品的需求回升，这表明半导体设计库存的去化即将进入尾声。另一个重要的迹象是内存市场，自去年以来，国外许多记忆体制造商面临价格大幅下滑，采取了大规模减产措施，但市场价格近期开始止跌回稳。此外

据TrendForce的研究显示，第4季DRAM与NANDFlash均价将开始全面上涨。特别是DRAM，预计第4季的合约价将季涨幅约在3%到8%之间。然而，这波上涨是否能持续，取决于供应商是否坚守减产策略以及实际需求的回升程度，尤其值得关注的领域是通用型服务器。在PCDRAM领域，DDR5的均价在第3

1、RAM​ RAM又称为随机访问存储器(Random-AccessMemory)，其主要分为静态和动态两种。静态的RAM简写为SRAM，动态的RAM简写为DRAM。SRAM的访问速度比DRAM要快得多，因此价格也要贵得多，在应用上，SRAM主要用作高速缓存存储器，也就是CPU和主存之间的L1、L2高速缓存，DRAM一般作为计算机系统

三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前主要专注于DDR4市场的公司，如南亚科（2408）和华邦电（2344），有望从中受益。在上半年，由于存储市

随着行动内存芯片市场迹象显示出复苏迹象，并且最早在第四季度供不应求，三星电子已宣布将提高动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存芯片的价格，幅度达到10%~20%。韩国经济日报报道，知情人士透露，三星电子最近与小米、OPPO、Google等客户签署的合同价格较目前的DRAM和NAND闪存芯片合同高出10%

来自的整理原文：https://www.systemverilog.io/design/ddr4-basics/这个是属于早期的整理，首先随意浏览下，然后打开spec好好阅读，以spec为准。对于blog而言，一方面是说明的不够详细，另一方面是正确性有待考究，毕竟缺少评审。而正确的内容，往往在spec上。接口SymbolTypeFunction

存储器按照掉电失去数据分为两类：易失性和非易失性。RAM：随机存取存储器（英语：RandomAccessMemory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个

一、读写信号线一般是两根(如无特殊说明)二、如果DRAM采用复用技术，虽然地址线减半，但需要添加行片选线和列片选线三、SRAM与DRAM1、SRAM是六晶体管MOS(半导体材料)，DRAM是电容2、SRAM依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1，DRAM依靠电容来存储信息四、U盘采用Flash存储技

1.ROM和RAM首先RAM和ROM都是半导体储存器。ROM为只读存储器，只可读装入整机前事先写好的数据，断电后数据会进行保存。RAM为随机内存存储器，可读可写，断电后丢失其存储内容。也就是ROM相当于只读的电脑硬盘，RAM相当于内存。2.SRAM和DRAMSRAM与DRAM的区别只在

在过去一段时间内，存储器市场遭受了来自PC和智能手机需求低迷的严重冲击，导致DRAM价格持续下跌，整个行业景气不振。特别是用于智能手机和PC上暂存数据的DRAM，价格长期跌跌不休，给厂商带来了巨大的挑战。然而，近期出现了一些积极迹象。主要DRAM制造商，例如三星、SK海力士和美光相继宣布减产

存储层次结构概况这是我们非常熟悉的冯·诺依曼计算机结构，那这其中哪些部件和存储功能有关呢？  存储器和外部记录介质肯定具有存储功能，另外还有一个自带存储功能的运算器，为了描述方便，我们把这些部件统称为存储器。那么我们看一下计算机中对存储器有哪些要求？1、首先存储器