1.内存架构和子系统1.1如何控制访问？访问控制：存储单元的访问是通过访问晶体管（accesstransistors）进行控制的。访问晶体管像开关一样，可以连接或断开存储单元和位线（bitline）的连接。存取控制由字线（wordline）控制。当字线激活时，访问晶体管开启，允许存储单元的数据流入或流出

DRAM（DynamicRandomAccessMemory，动态随机存储器）是一种常用的半导体存储器类型，具有高密度、低成本和快速访问等特点。它用于计算机内存中，以存储数据和指令。了解DRAM的工作原理可以帮助我们理解它如何处理读写数据。DRAM基本结构DRAM是基于电容器和晶体管结构的。每个DRAM存

参考来源：JESD209-4B，JESD209-4ELPDDRInitial→LPDDRWriteLevelingandDQTraining→LPDDRReadandTraining→LPDDRWriteandTraining→LPDDRClockSwitch→PIMTechnicalWriteCommand基于JEDEC标准中可以看到WriteTiming信息如下：图中的相关参数信

本文的所有图片的来源都是gmy老师的PPT。DRAM层级结构示意图：首先我们看一下Bank内的结构：有五个基本命令：ACTIVATE:打开一个row。由于DRAM是用电容来保存信息的，所以打开一个row就意味着这些电容里的电荷被释放掉了。因此需要用rowbuffer将这些信息暂时保存住。READ:将row

一、车规级芯片的特点：1、可靠性（Reliability）：要求部件必须能够承受日常使用的严酷和极端的温度、湿度、机械振动、冲击及车辆的复杂电气和电磁环境。AEC-Q100对汽车零件工作温度等级定义如下：0等级：环境工作温度范围-40℃-150℃1等级：环境工作温度范围-40℃-125℃2等级：环境工作温

存储芯片行业的封装类型存储芯片分类：随机存储器（RAM）：这是易失性存储器，断电后存储的数据会丢失。它包括：动态随机存储器（DRAM）：这是最常见的系统内存类型，用于与CPU直接交换数据。DRAM需要定期刷新以保持数据，因为它使用电容来存储信息。DRAM的常见类型包括：同步动态随机存储器

只读存储器ROM原文来自ROM的分类（https://www.cnblogs.com/softhal/p/5640847.html）FLASH部分的原文（https://blog.csdn.net/xinxinyouyi/article/details/100571824）随机访问存储器RAM（RANDMONACCESSMEMORY）原文（https://blog.csdn.net/qq_42973834/article/details/108676693）

一.ARM：1.时钟晶振：        在单片机系统里晶振的作用非常大，他结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。2.系统复位：        这个复位会使整个芯

数据中心在追求更高性能和更低总拥有成本（TCO）的过程中面临三大主要内存挑战。首先，当前服务器内存层次结构存在局限性。直接连接的DRAM与固态硬盘（SSD）存储之间存在三个数量级的延迟差异。当处理器直接连接的内存容量耗尽时，就必须转向SSD，导致处理器处于等待状态。这种等待，即延

DDR5延续了前几代数据速率不断提高的趋势。数据传输速度在3200至6400MT/s之间。同时将继续像前几代一样使用单端数据线的方式。为了帮助减少由高数据速率引起的信号完整性问题，DRAM端也会考虑加入判决反馈均衡（DFE）来减轻反射、ISI对信号传输的影响。DDR5内存设计挑战尽管DDR5

JESD79-5C_v1.30-2024JEDECDDR5SOLIDSTATETECHNOLOGYASSOCIATION最新DDR5内存技术规范​JEDEC技术协会公布新DDR5内存规范、更稳定、安全，支持PRAC新技术下载： https://download.csdn.net/download/tgs2033/89661013样本下载：链接：https://pan.baidu.com/s/13-Ioep

针对LPDDR5/DDR5提供了高速多通道的误码测试仪（BERT）, 适合用在DDR5DRAM/RCD/DB等物理层接收机信号质量完整性测试及针对DDR5协议层之功能性验证.目前该产品有广泛的应用在各大DDR5相关的厂商中，完整的支持DDR5DRAMTestSuite，DDR5R-DIMMTestSuite， DDR5RCDTestSuite，DDR

SRAM和DRAM的比较SDRAM（同步动态随机存取存储器，英语：synchronousdynamicrandom-accessmemory）也是DRAM的一种DRAM的刷新DRAM的刷新需要注意以下问题:刷新操作对CPU是透明的，即CPU不参与DRAM的刷新过程DRAM的刷新单位是行，由芯片内部自行生成行地址刷新操作类似于读操

DRAMPIM综述简介前不久去上海参加了CCFChip会议，听到了一些ISCA上关于DRAMPIM的工作，感觉非常有趣。ISSCC上除了DRAMPIM，还能见到很多eDRAMCIM类的工作，但是大体思路和目前架构那边做的DRAMPIM的思路差别还是挺大的，eDRAM主要还是片上集成，DRAM是单独的内存。从设计的角度来说主

SRAM（StaticRandomAccessMemory）和DRAM（DynamicRandomAccessMemory）是两种常见的计算机内存类型，它们在结构、工作原理和性能特点上有一些显著的区别：1.结构：•SRAM：SRAM使用触发器（flip-flops）来存储数据，每个存储单元由多个晶体管构成，因此SRAM的存储单元比较

DDRPHY主要有以下功能：1、命令及数据传输，承担DDRC和DRAM之间的命令、数据传输，把DDRC逻辑电路系统时钟域的命令及数据，和DRAM接口时钟域的命令及数据进行相互转换和透传。2、提供链路延时，通过模拟电路实现可配置大小的链路延时，对DRAM接口并行的命令、数据信号进行延时控制3

一、DRAM原理与可靠性在深入探讨DRAM系统的可靠性问题前，我们需要明确几个基本概念。首先，故障指的是可能导致系统错误的物理缺陷，而错误则是系统实际状态与期望状态之间的差异。故障可分为暂时性故障和永久性故障：前者由外部因素如高能粒子撞击引发，后者则由持续存在的物理缺陷造

AMD为MicroBlaze提供BootLoader，比如SRECBootLoader。它能将代码从QSPIFlash搬移到目标存储器（多半是DRAM）运行，使MicroBlaze运行大程序成为可能。如果MicroBlaze的BlockDesign设计有问题，比如BlockDesign设计中把DRAM链接到了DP（外设）端口，DRAM不能正常运行程序，也会导致BootLoade

在过去的十年里，数据中心和服务器行业经历了前所未有的扩张，这一进程伴随着CPU核心数量、内存带宽(BW)，以及存储容量的显著增长。这种超大规模数据中心的扩张不仅带来了对计算能力的急剧需求，也带来了前所未有的内存功率密度挑战，类似于移动设备中遇到的问题。因此，提高DRAM的能效成

南桥&北桥&内存结构每个程序员都应该了解的内存知识.pdf-p5-每个程序员都应该了解的内存知识-P5-20240327103419​​功能每个程序员都应该了解的内存知识.pdf-p5-每个程序员都应该了解的内存知识-P5-20240327104347​​北桥主要是连接CPU以及RAM以及南桥,作为连

今天看了一篇IT之家关于AMD处理器受RowHammer内存攻击影响的报道，心血来潮了解了一下RowHammer攻击的原理，把了解到的知识记录下来。RowHammer攻击是一种相对较新的攻击方式，它利用了现代动态随机存取存储器（DRAM）的物理缺陷，这种攻击方式不同于传统的软件漏洞利用，它直接针对

近日小编看到PureStorage公司的研发高级副总裁肖恩·罗斯马林(ShawnRosemarin)的一个观点“由于DRAM的局限性，固态硬盘(SSD)的容量难以突破30TB”。这个观点不是完全准确，实际上，Solidigm已经发布了最大容量61.44TBQLCSSD。但是，这个观点背后的逻辑依然是业内在提升SSD容

`uint16_tbuf[6]attribute((at(0xd0000000)))={0};//将缓冲数组分配到外部dram中。voidTestDram(void){uint16_txxx[6]={0x1111,0x2222,0x3333,0x4444,0x5555,0x6666};for(inti=0;i<5;i++){buf[i]=xxx[i];}for(inti=0;i<5;i++){ if(xxx[i]!

1.随机访问存储器(RAM)1.静态RAM(SRAM)常用来做cache。SRAM存储器单元只要有电，就会永远保持它的值。2.动态RAM(DRAM)常用来做内存。DRAM每个位存储为电容充电。因为有很多原因会导致漏电，所以内存系统必须周期性地通过读出数据，重写来刷新内存的每一位。3.传统DRAM下图

根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NANDFlash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格，涨幅预计将达到15%-20%。业内分析师指出，上游制造商的关注点正在从NAND转移到DRAM，特别是DDR4和DDR5等型号，成为下一轮价格上涨的关键推动力。据百能