根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格，涨幅预计将达到15%-20%。
业内分析师指出，上游制造商的关注点正在从NAND转移到DRAM，特别是DDR4和DDR5等型号，成为下一轮价格上涨的关键推动力。
据百能云芯电子元器件商城了解，尽管市场需求目前尚未完全稳定，但存储器行业内部人士透露，他们最近收到了三星提出的警告，预计第1季DRAM价格至少将上涨15%。至于NAND的涨幅虽然尚未明确提出，但预计将继续上涨，存储器价格上涨趋势可能会持续至2024年底。
此外，其他存储器模组制造商也向客户发布通知，预计在2024年第1季，三星和美光将相继上调DRAM价格，涨幅约为15%到20%。与去年12月DRAM报价微幅上涨2%-3%相比，这一涨幅明显低于3D TLC NAND的上涨幅度，后者约为10%。
随着手机和服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场供应将持续紧张。从1月份开始，制造商将调整DRAM的新报价，以促使客户提前规划未来的使用需求。
业内观察认为，进入2024年后，DRAM价格上涨的趋势将变得更加显着。由于DDR4库存较高，导致市场价格相对疲弱，为了缓解营运亏损，预计2024年上半年将集中调整DDR4和DDR5的价格，而DDR3的产能和需求相对稳定，其涨幅相对平稳。
尽管上游制造商在第1季度启动DRAM价格上涨行动并不令人意外，但存储器模组制造商认为DRAM价格上涨的动力主要仍然来自于上游制造商的人为操纵。他们此前的内部预测已经表明，他们预计将迎来单季涨幅约15%到20%，因此近几个月已陆续回购低价库存。
预计这轮DRAM价格上涨将由三星率先发动，其操作方式几乎与2023年第3季NAND价格上涨相似。然而，未来DRAM价格是否会像NAND Wafer一样强劲攀升，还需观察市场需求。
业内预计，随着上游制造商酝酿2024年第1季DRAM价格上涨，多家记忆体模组制造商已经收到信号，启动备货计划。预计向OEM厂提供的合同价格将在一个季度内有所延后，从第2季度开始将充分反映DRAM价格上涨的趋势。
