OLED：有机发光二极管，又称为有机激光显示
ASCII字符:http://c.biancheng.net/c/ascii/
内码:计算机使用的二进制字符编码，就叫内码，简称编码。
将字符显示在OLED上:
1，显示字符，必须先有其点阵数据，点阵数据的集合，叫做字库
2，单片机根据点阵数据按取模方向进行描点还原，就能显示字符
3，ASCII字符宽度 = 汉字宽度的一半
ASCII字库制作:PCtoLCD2002.exe软件
OLED基本驱动实现:
1，确定IO连接关系：开发板OLED接口原理图
2，初始化IO口
3，编写8080接口函数：oled_wr_byte
4，编写OLED初始化函数：oled_init
5，编写OLED画点函数：oled_draw_point
内存保护单元：MPU
MPU的功能：
1.设置不同存储区域的存储器访问权限（特权级、用户级）
2.设置存储器(内存和外设)属性（可缓存、可缓冲、可共享）
设置内存区域的访问权限：
MPU_REGION_NO_ACCESS：无访问（特权级&用户级都不可访问）
MPU_REGION_PRIV_RW：仅支持特权级读写访问
MPU_REGION_PRIV_RW_URO：禁止用户写访问（特权可读写访问）
MPU_REGION_FULL_ACCESS：全访问（特权级&用户级都可访问）
MPU_REGION_PRIV_RO：仅支持特权读访问
MPU_REGION_PRIV_RO_URO：只读（特权&用户都不可以写）
配置内存区域的访问属性
三种内存类型：
Normal memory(ROM、FLASH、SRAM):CPU以最高效的方式加载和存储字节、半字和字， CPU对于这种内存区的加载或存储不一定要按照程序代码的顺序执行
Device memory(外设):加载和存储要严格按照次序进行，确保寄存器按照正确顺序设置
Strongly ordered memory:程序完全按照代码顺序执行，CPU会等待当前加载存储执行完毕后才执行下一条指令，导致性能下降。
Cache(高级缓存)是提升STM32性能的关键一步
Cache支持4种基本操作：1,使能；2,禁止； 3,清空； 4,无效化
读操作：CPU要读取的SRAM区数据在Cache中已经加载好，叫读命中(Cache hit)；如果Cache里面没有，这就是读Cache Miss。
写操作：CPU要写的SRAM区数据在Cache中已经开辟了对应的区域，这就叫写命中(Cache hit)；如果Cache里面没有开辟对应的区域怎么办，这就是所谓的写Cache Miss。
Cache hit：直接从cache中读出数据即可
Cache miss：
两种处理方式：
read through：直接从内存中读出，不用cache
read allocate：把数据从内存加载到cache，再从cache读取
MPU基本配置步骤
1、禁止MPU：void HAL_MPU_Disable();
2、配置某个区域的MPU保护参数：通过调用HAL_MPU_ConfigRegion()函数去设置
3、使能MPU：void HAL_MPU_Enable();
4、编写MemManage中断服务函数：void MemManage_Handler(void)
LCD接口分类
MCU(≤800*480)：带SRAM，无需频繁刷新，无需大内存，驱动简单
RGB(≤1280*800)：不带SRAM，需要实时刷新，需要大内存，驱动稍微复杂
MIPI(4K)：不带SRAM，支持分辨率高，省电，大部分手机屏用此接口
LCD驱动原理：驱动LCD驱动芯片
LCD驱动基本知识:
1，8080时序，LCD驱动芯片一般使用8080时序控制，实现数据写入/读取
2，初始化序列（数组），屏厂提供，用于初始化特定屏幕，不同屏幕厂家不完全相同！
3，画点函数、读点函数（非必需），基于这两个函数可以实现各种绘图功能！
8080并口模式
8个数据引脚和5个控制引脚
引脚说明：
1.CS(片选)：选中器件，低电平有效，先选中，后操作
2.WR(写)：写信号，上升沿有效，用于数据/命令写入
3.RD(读)：读信号，上升沿有效，用于数据/命令读取
4.RS(数据/命令)：表示当前是读写数据还是命令，也叫DC信号
5.D[15:0](数据线)：双向数据线，可以写入/读取驱动IC数据
英特尔总线：并口总线时序，常用于屏幕驱动IC的访问
8080时序--写时序
在WR上升沿，使数据写入到SSD1306里
设置DC引脚电平：数据类型(高:数据;低:命令)->CS引脚拉低：选中SSD1306->WR拉低：写数据->准备数据：数据线->WR拉高：数据写到SSD1306->释放CS->释放DC引脚
LCD驱动芯片简介：6条指令即可完成对LCD的基本使用
1.0XD3(读ID)：用于读取LCD控制器的ID，区分型号用
2.0X36(访问控制)：设置GRAM读写方向，控制显示方向
3.0X2A(列地址)：一般用于设置X坐标
4.0X2B(页地址)：一般用于设置Y坐标
5.0X2C(写GRAM)：用于往LCD写GRAM数据
6.0X2E(读GRAM)：用于读取LCD的GRAM数据
LCD基本驱动实现
1，确定IO连接关系
2，初始化IO口、初始化FSMC外设
3，编写读写接口函数：lcd_wr_data、lcd_wr_regno、lcd_write_reg、lcd_rd_data
4，编写LCD初始化函数：lcd_init
5，编写LCD画和读点函数：lcd_draw_point
硬件IO连接关系
1.LCD_RST(RESET)：LCD复位引脚，连接MCU复位脚，一起复位
2.LCD_BL(PC10)：LCD背光引脚，控制LCD背光亮灭，高电平亮
3.LCD_CS(PC9)：LCD片选，选中LCD，低电平有效
4.LCD_WR(PC7)：LCD写信号，上升沿有效，用于数据/命令写入
5.LCD_RD(PC6)：LCD读信号，上升沿有效，用于数据/命令读取
6.LCD_RS(PC8)：LCD数据/命令线，表示当前是读写数据还是命令
7.LCD_D0~D15(PB0~PB15)：LCD数据线，16位，一次可以写入一个像素
FSMC简介：灵活的静态存储控制器
用途：用于驱动SRAM，NOR FLASH，NAND FLASH及PC卡类型的存储器
FSMC通信引脚介绍
1.FSMC_NE[x](输出)：片选引脚，x=1…4，每个对应不同的内存块
2.FSMC_CLK(输出)：时钟（同步突发模式使用）
3.FSMC_A[25:0](输出)：地址总线
4.FSMC_D[15:0](输出/输入)：双向数据总线
5.FSMC_NOE(输出)：输出使能（“N”表明低电平有效信号）
6.FSMC_NWE(输出)：写使能
7.FSMC_NWAIT(输入)：NOR闪存要求FSMC等待的信号
8.FSMC_NADV(输出)：地址、数据线复用时作锁存信号
LCD的RS信号线与地址线关系：8080接口中RS(数据/命令选择线)，用FSMC的某根A地址线进行替换
当FSMC_A10为高电平时（即RS为高电平），FSMC_D[15:0]被理解为数据
当FSMC_A10为低电平时（即RS为低电平），FSMC_D[15:0]被理解为命令
FSMC相关寄存器介绍
1.FSMC_BCR4(片选控制寄存器)：包含存储器块的信息（存储器类型/数据宽度等）
2.FSMC_BTR4(片选时序寄存器)：设置读操作时序参数（ADDSET/DATAST）
3.FSMC_BWTR4(写时序寄存器)：设置写操作时序参数（ADDSET/DATAST）
SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）
EXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序。读和写用不同的时序，该位设置为1
WREN：写使能位。该位设置1
MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。
MTYP[1:0]：存储器类型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH；11保留。
MBKEN：存储块使能位。该位设置1
SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）
ACCMOD[1:0]：访问模式。
00：模式A；
01：模式B；
10：模式C；
11：模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
对于ILI9341来说，其实就是RD低电平持续时间，最小为355ns。
对于F1，一个HCLK = 13.9ns(1/72M)，设置为15
对于F4，一个HCLK = 6ns(1/168M)，设置为60
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示ADDSET(+1)个HCLK时钟周期，ADDSET最大为15。
对于ILI9341来说，相当于RD高电平持续时间，为90ns。
F1即使设置为0，RD也有超过90ns的高电平，这里设置为1。F4对该位设置为15。
SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）
ACCMOD[1:0]：访问模式。
00：模式A；
01：模式B；
10：模式C；
11：模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
对于ILI9341来说，其实就是WR低电平持续时间，最小为15ns。
对于F1，一个HCLK = 13.9ns，设置为3
对于F4，一个HCLK = 6ns，设置为9
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示ADDSET(+1)个HCLK时钟周期，ADDSET最大为15。
对于ILI9341来说，相当于WR高电平持续时间，为15ns。
F1即使设置为1，WR也有超过15ns的高电平，这里设置为1。
F4对该位设置为8。
ST官方提供的寄存器定义对应关系如下：
BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1
BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2
BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3
BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4
FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]寄存器组，他们的对应关系如下：
BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到
FSMC相关HAL库函数简介
HAL_StatusTypeDef HAL_SRAM_Init ( SRAM_HandleTypeDef *hsram, FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *Timing,FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef *ExtTiming )
为什么需要外部SRAM：跑算法、跑GUI
SRAM 读写操作步骤
1、设置地址信号线：发出要访问的存储器目标地址
2、控制片选信号：选中器件
3、决定数据操作方式：
读操作，控制读使能信号OE表示读数据
写操作，控制写使能信号WE表示写数据
4、设置获取数据方式：掩码信号BLE和BHE指示要访问目标地址的高、低字节部分
5、获取数据：
读过程，存储器通过数据线向主机输出目标地址数据
写过程，使用数据线向存储器目标地址写入目标数据
FSMC，灵活的静态存储控制器，能驱动SRAM、NOR/NAND Flash等存储器。
SRAM驱动步骤
1、配置FSMC：使能FSMC时钟，并配置FSMC相关的IO(复用输出)及其时钟使能
2、设置FSMC相关参数：设置Bank1第三区的存储器 工作模式、位宽和读写时序参数
3、进行数据访问：根据区域，决定操作外部内存的首地址
为什么需要外部SDRAM：LTDC驱动RGB屏、跑算法、跑GUI
NAND FLASH：非易失性存储器，其内部采用非线性宏单位模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
RGB接口：24根颜色数据线（RGB各占8根即RGB888，1600W色）
USMART：串口调试组件，可以大大提高代码调试效率
USMART可以直接通过串口调用用户编写的函数，随意修改函数参数
USMART主要特点：
1，可以调用绝大部分用户直接编写的函数
2，占用资源少（最小：4KB FLASH, 72B SRAM）
3，支持参数类型多（整数(10/16)、字符串、函数指针等）
4，支持函数返回值显示且可对格式进行设置
5，支持函数执行时间计算
不支持浮点数参数
USMART原理：
通过对比用户输入字符串和本地函数名，用函数指针实现调用不同的函数
USMART组成：
usmart .c/h：核心文件，用于处理命令以及对外部交互
usmart_config.c：函数管理文件，用于添加用户需要USMART管理的函数
usmart_port.c/h：移植文件，用于USMART移植
usmart_str.c/h：字符串处理文件，用于字符串转换、参数获取等
USMART扫描函数：void usmart_scan(void)；
USMART移植：
获取USMART组件->添加到工程->适配硬件->添加执行函数：usmart_config.c->通过串口交互
RTC：实时时钟(Real Time Clock，RTC)，本质是一个计数器，计数频率常为秒，专门用来记录时间。