1.为什么要initialization ?
本节介绍device的initialization
从上节的device的结构可看出DIMM的两面有16个颗粒，颗粒的组织结构有T型（CA/CLK）。
T型 拓扑
T型拓扑的眼图
因为信号完整性问题，把T型结构调整为fly-by的结构。CA和clk在PCB布线时穿透1个个DRAM，对于每个DRAM,data skew是不同的，因此，需要做write leveling，来de-skew每个DRAM的skew。
fly-by型拓扑
fly-by型拓扑的眼图
2.initialization 的流程
可以从JESD209-4的LPDDR4的协议规范可以详细看到initialization的流程：
initialization
从上电到 对DRAM读写前，需要进行以下的配置和相位调整过程:
1. 上电
2. MRW（mode register write)
------------initial------------
3. ZQ cal:CA 、DQ 各线的ODT调整阻值，为了更好的信号质量
4. CA bus training:CA 、CLK相位 （CA bus training)
------------training----------
5. Write leveling:DQS 、CLK相位
6. DQ training:DQ training(controller读，写DRAM的眼图中心）
无论是initial 还是 training的过程，都是为了找出在controller和DRAM间进行数据的读写时最优信号的位置，而进行的探索性调整相位的过程。以下详细介绍各步骤。
2.1上电
注意上电电压是否符合颗粒要求，reset的时序是否满足颗粒要求（如上图复位的保持时间tINIT1>=200us)。
2.2 MRW（可以通过controller 或者phy 对颗粒的模式寄存器配置）
2.3 ZQ calibration:
2.3.1 ZQ 校准的目的
LPDDR4的ZQ pin, 用来外接一240Ω±1%上拉电阻。LPDDR4将其作为参考电阻，用来校准DRAM内部的240Ω电阻。因为芯片内部的240欧电阻是由CMOS构成，由于CMOS的天然特性，造成该电阻会随着PTV(制程，温度和电压)变化，因此必须对其进行校准。
ZQCAL的4个作用：
1) 输出上拉校准，即校准输出电压VOH PU-Cal (Pull-up Calibration VOH Point)
2) 输入下拉驱动强度及接收终止电阻的校准 PDDS (Pull Down Drive Strength and Rx Termination)
3) DQ-ODT (DQ ODT Value)
4) CA-ODT (CA ODT Value)
2.3.2 ZQ 校准的效果：
用外部的参考电阻对内部CMOS电阻阻值进行校准。
只有对DQ Pad内部的上下拉电阻网络中的每个电阻进行校准，才能满足高频下信号完整性需求，这就用到了连接在ZQ Pad 外部的240Ω±1%参考电阻。校准的前提是，我们认为该外部参考电阻不会随着环境变化，在任何条件下都是标准的240Ω。DRAM内部对每个240Ω电阻进行校准时都会共用该外部参考电阻，因此每个电阻是分开进行校准，在时间上不能重叠。
ZQ calibration
图2.3.2 ZQ校准电路
其中左侧方框为校准控制模块，内部包含ADC, 比较器，择多滤波器(majority filter)。图中VDDQ/2作为参考电压，有DRAM内部产生。图中最右侧为一个近似电阻(approximation register，是polyresistor), 比240Ω稍大。和该240Ω+电阻并联的有5个P Channel device(如原文所述)，通过控制其导通个数，来使其最终等效电阻最终等于240Ω。
2.3.3校准过程
如下：
收到ZQ校准命令后，PUP会被驱动为低电平，使和VDDQ连接的PMOS开关打开
校准控制模块通过调整VOH[0:4], 来使不同的P Channel device导通
比较VPULL-UP和VDDQ/2的电压，当二者相等时，DQ上下两侧的电阻相等，均为240Ω，校准完成
记录下该电阻的VOH[0:4]的值
对每个上拉电阻（各个DQ引脚，共用1个ZQ 引脚的240欧电阻，时间上逐个）进行校准，记录下每个电阻对应的VOH[0:4]值。
下拉电阻校准过程类似，不多赘述。不同的是和240Ω+电阻并联的是N Channel device。
关于ZQ校正有两个命令ZQCL （ZQ CALIBRATION LONG )和ZQ CALIBRATION SHORT (ZQCS)
ZQCL主要用于系统上电初始化和器件复位，一次完整的ZQCL需要512个时钟周期，在随后（初始化和复位之后），校准一次的时间要减少到256周期。
ZQCS在正常操作时跟踪连续的电压和温度变化，ZQCS需要64个时钟周期。
2.4 CA bus training
在fly-by拓扑结构中，发送MRW命令（training模式）
CA bus training的2个作用 ：
1) 校准设备内部的VREF
2) 调整CS/CA 与CK的相位关系
直到命令总线CA training结束，设备时钟速率才可以高于tCKb ，否则可能无法正常校准和调整。
2.5 write leveling （写平衡）
1）背景原因： 从DDR3开始采用了fly-by的结构（为什么采用fly-by结构，查看Fly by Rooting Topology）（多个DRAM放置在PCB上时(或多个die)，地址线，控制线，时钟线采用fly-by方式进行布线，DQ,DQS和DMI还是采用点对点的布线方式），CLK到达菊花链的各个DRAM die的时间是不一样的。
2）解决方法：为了解决DQS和CLK的edge alignment的问题，Write leveling作为业界标准解决方案，来解决PCB布线造成的时序问题
MC(Memory Controller)通过调节发出DQS的时间，来让各个DIE的DQS和CLK对齐，起到补偿skew的作用。
3）怎么做：
Write Leveling的基本过程是，DDR进入Write Leveling后，
用DQS的上升沿采样CLK信号的状态，
然后将采样结果通过DQ pin 反馈给MC(DRAM内部MicroController)，
MC根据收到的反馈结果后调整CLK-to-DQS的关系，
将这个过程不断重复，直到training成功。
LPDDR4的DQ[7:0]传输DQS[0]的反馈结果，DQ[8:15]传输DQS[1]反馈结果。
也就是说LPDDR4的两个channel要独立的做Write Leveling，每个channel的16比特也要分两个byte lane来做。
LPDDR4的Write Leveling的具体过程如下：（可查看DDR 规格）
1) MC设置MR2-OP[7]使LPDDR4进入Write Leveling模式
2) 一旦进入Write leveling模式，在tWLDQSEN时间后，MC必须驱动DQS到低电平
3) 在tWLMRD时间后提供第一个DQS信号输入。tWLMRD是和不同的MC有关
4) 由于第一个DQS沿不稳定，所以DRAM或许能抓到第一个DQS沿，也可能抓不到，因此MC每次必须提供两个连续的DQS脉冲。每次用DQS的沿去采到时钟的电平，DRAM会在tWLO时间后异步的通过所有DQ的变化来反馈给MC（修改DQS的相位直到某个相位可以满足，反馈的电平从0变为1的迁移，此时可以认为是满足相位要求，退出WL）
5) MC参考DRAM提供的反馈结果，来增到或减小DQS_t and/or DQS_C的延时设置
6) 重复第4到第5步，直到合适的DQS_t/DQS_c延时建立
7) 通过设置MR2-OP[7]=0, 退出Write-Leveling模式
其中第4步的判断标准是：DQS上升沿去采样到CLK电平，发现迁移（由之前的0变为1）
详细解释如下：
Write Leveling的功能是调整DRAM颗粒端DQS信号和CLK信号边沿对齐；调节过程描述：DDR控制器不停地调整DQS信号相对于CLK的延迟，DRAM芯片在每个DQS上升沿采样CLK管脚上的时钟信号，如果采样值一直低，则会将所有的DQ[n]保持为低电平来告知DDR控制器，tDQSS（DQS, DQS# rising edge to CK, CK# rising edge，在标准中要求为+/-0.25 tCK。tCK为CLK时钟周期）相位关系还未满足，如果发现在某个DQS上升沿，采样到此时的CLK电平发现了迁越（由之前的低跳变为高），则认为此时DQS和CLK已经满足tDQSS，同时通过DQ[n]向DDR控制器发送一个高，表征一个写均衡成功，同时DDR控制器会锁住这个相位差。这样，在每个DRAM端，看到的CLK和DQS信号都是边沿对齐的。
参考DDR3标准的写入均衡图，写入均衡的修调过程：
t1：将ODT拉起，使能on die termination；
t2：等待tWLDQSEN时间后（保证DQS管脚上的ODT已设置好），DDR控制器将DQS置起；DDR memory在DQS上升沿采样CK信号，发现CK=0，则DQ保持为0。
t3：DDR控制器将DQS置起；DDR memory在DQS上升沿采样CK信号，发现CK=0，则DQ仍然保持为0。
t4：DDR控制器将DQS置起；DDR memory在DQS上升沿采样CK信号，发现CK=1，则等待一段时间后，DDR memory将dq信号置起。
采取以上策略的原因：对于DDR controller来说，其无法测定clk边沿和dqs边沿的绝对位置，故采用了不断调整dqs delay，在dqs上升沿判断clk从0到1或1到0的一个变化，一旦检测到变化，则写入均衡停止。
2.6 DQ training
DQ有多bits，同步到到接收方，就需要调整好DQS与CLK的相位。有以下3步：
1. MPR Pattern Write
2. Read Centering
3. Write Centering
2.6.1读写切换到4个MPR可编程寄存器：
DDR4 DRAM 包含4个 8 位可编程寄存器，称为 MPR 寄存器，用于 DQ 位训练（即读写居中）。
通过设置模式寄存器 MR3[2] = 1 启用 MPR 访问模式。
启用此模式后， DRAM 的 READ 和 WRITE 的发送（DQ/CA），被转移到多用途寄存器，而不是存储区。
2.6.2读中心化（为了使ddr controller/phy 的读捕抓电路在数据眼图的中间获取数据）
1) 切到MPR
2) 然后启动连续的 READ 流, 存储器返回在上一个 MPR 模式写入步骤中写入的模式。 假设这种模式是交替的 1-0-1-0-...
3) 在读取过程中，内部读取捕获电路要么增加或减少内部读取延迟寄存器，以找到数据眼的左右边缘。
4) 当检测到眼图边缘时，读取延迟寄存器会被适当设置，以确保在眼图中心捕获数据。
5) 对每个 DQ 数据位重复上述步骤
2.6.3写中心化（为了使 DRAM的write strobe edge在写数据的中间，把数据写到DRAM中）
1) 启动连续的 WRITE 和 READ 流
2) 逐渐改变数据位的写入延迟
3) 将读回的数据与写入的数据进行比较
3.周期性校准
在网络交换机或路由器等设备中，在其运行过程中可能会有电压和温度的变化。为了保证信号的完整性和数据访问的可靠性，在初始化和读写训练时训练的一些参数必须重新运行。内存控制器和PHY ip通常提供以下两个周期性校准过程。
•Periodic ZQ -也被称为ZQ校准短(ZQCS)。它用于定期运行ZQ校准，以调整前面描述的240Ω电阻。
•Periodic Read Centering —— 重新计算读延迟和其他读相关参数
启用周期性校准是可选的，因为如果您知道您的设备将部署在稳定的温度条件下，那么初始ZQ校准和读写training就足够了。
通常，内存控制器或PHY允许您设置一个计时器，并通过它们的寄存器使能周期性校准。一旦定时器被设置，定时校准将在每次定时器过期时运行.
转LPDDR4x 的 学习总结（6） - initialization & training - 知乎 (zhihu.com)
标签：training,电阻,DQS,initialization,校准,ZQ,DRAM,LPDDR4x,DQ From： https://www.cnblogs.com/RZQYSQ/p/16870486.html