20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65

时间：2023-03-13 10:31:32浏览次数：60

标签：MOS 沟道芯片 20N65 ASEMI 漏源

编辑：ll

型号：20N65

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：20A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.42Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的20N65 MOS管

ASEMI品牌20N65是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了20N65的最大漏源电流20A，漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

20N65,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

20N65具体参数为：最大漏源电流：20A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220

20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65_ASEMI

20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65_ASEMI_02

20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65_ASEMI_03

标签：MOS,沟道,芯片,20N65,ASEMI,漏源
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