本文作为一个笔记，复习一下计算内存相关知识，主要是参考：
合集·CSAPP-深入理解计算机系统
下面说一下储存器部分，当前计算机的储存有这么几种，寄存器是最快的，其次是几级缓存，最后是内存，从硬盘中拿数据是最慢的
先说一下主要的两种内存：SRAM和DRAM
他们的原理分别是：
- 1、SRAM将每个bit的信息存在一个双稳态的存储器单元内，因为这个特性（双稳态），只要有电，就能一直保存所储存的数据
- 2、DRAM的原理是电容充电，每个bit位的存储对应一个电容和一个晶体管，DRAM和SRAM的区别就在于他对储存单元的干扰十分敏感，如果电容的电压被扰乱，就无法恢复数据（DRAM就是DDR3,DDR4这样的东西）
下面是它们的对比图，SRAM的速度肯定是快于DRAM的，但是DRAM的价格会贵很多，一般处理器内部的cache采用SRAM，而内存采用DRAM。但是DRAM可能会有很多原因导致漏电，使得DRAM在10-100ms内失去电荷，因此内存需要不断的读出数据，之后重写来刷新内存的每一位。
另外还有一种是SDRAM，但是这个不是SRAM，只是比正常的DRAM要快一点罢了，全称如下：
下面来看一下disk：目前市场上主要是机械磁盘和固态硬盘。机械磁盘示意图如下所示：磁盘一般由多个盘片组成，盘片上由磁性材料，如下图所示的磁盘，三个磁盘，有六个盘面可以用来存储数据，盘片的表面被划分成一圈一圈的磁道
每个磁道又划分成多个扇区，通常情况下一个扇区可以储存512字节的数据，扇区和扇区之间还有一些间隙，这些间隙用来存放扇区的标识信息，不能拿来存储数据
每个盘面的上下表面都有一个读写头，读写头可以水平移动，这种移动称为寻道，完成寻道后，读写头就保持不动了，读写头可以读写相应的数据位，也可以修改相应的数据值，这里需要注意的就是所有的读写头都是垂直排列，一致行动的。（这里需要注意，读写头距离盘面的距离是0.1微米，因此灰尘或者撞击都可能使得读写头撞向盘面，导致机械硬盘的损坏）
磁盘容量计算，先说一个通用一点的计算方式，存储设备的计算和我们平时的认知计算方式不太一致：
机械磁盘的读写速度受访问时间的影响，主要有寻道时间，旋转时间和传送时间（旋转时间这里注意，旋转是单方向的，如果刚刚错过要写的那个扇区，是不能反转回来的，要再等一圈，因此这个时间也跟旋转速度相关）和传送时间（假设一圈是400个扇区，转一圈需要8ms，那么数据传送就需要0.02ms）
下面看一下固态硬盘，固态硬盘由一个或者多个闪存芯片组成，闪存芯片是基于NAND Flash实现的：
看一下nand flash的组成，由多个die组成，每个die有多个plane，每个plane由多个block组成，每个block里面有多个page，也就是说固态硬盘的基本读写单位是这个page，前面说了机械硬盘最基本的单位是扇区，扇区固定大小512字节，这边的固态page会根据厂家的不同而不同
由于闪存编程的限制，只能将1改为0，而不能将0改为1，因此在page写入数据之前，所有储存位都是1，写入的本质就是将某些位从1变成0，这里注意，写入是以page位单位，写入前需要擦除，但是擦除是以block位单位的，在经过一定次数的擦除之后，block就会发生磨损，一旦block发生磨损后就不能再用了，因此，固态硬盘的闪存翻译层会使用平均磨损算法，将擦除平均到所有的块上来最大化每个块的寿命
