MOSFET是一个四端器件（栅极、源极、漏极、衬底）。衬底一般连接到一个直流电源端:  NMOS的衬底接地GND，PMOS的衬底接高电平VDD。(为了使得MOS管中的PN结零偏或反偏，尽管如此，二极管的结电容也会对电路产生影响) （PN结正偏不仅会形成通路，也会导致结电容急剧增大C=ES/D）NMOS：1.p型

防反电路设计做电路的时候有没有因为电源接反而烧毁电路板的经历?所以板子的防反电路设计有那么点重要,所以就聊聊防反电路的设计,但我首先推荐使用连接器去做防反,连接器国内的厂家用的顺手的科发.他们比较好玩的是弹簧,但是防反就有正反就可以了.如下图1所示.顺带看下图2

电路中，MOS管的开启电压取多少最为合适呢？比如：某NmosVGS范围为正负20V栅极阈值电压（VGSth）最小为0.8V，最大为1.5V那么此时的Mos管栅极电压取多少最为合适？在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMO

why？假如目前有一个需求，需要把1v的电压放大到10v，应该怎么做呢？最基础的方式，使用中学就学过的受控电源，电压控制电压源：即变压器，但是变压器只能处理高频信号，对于低频信号或者直流信号，就不管用了，电流控制电压源：没有这种元件电流控制电流源：三极管电压控制电流源：MOS管三极管和MO

        本文你将了解到米勒效应现象、不同角度看到的米勒效应原因、米勒振荡与抑制措施，预计阅读时间3min。1 米勒效应现象描述        MOSFET导通前，Vd>Vg，MOSFET导通后，Vg>Vd，在MOSFET导通过程中，Cgd放电并反向充电，期间Vgs基本维持不变，Cgd反向充电完成后，Vgs

 MOS做开关使用   如图是NMOS做开关使用实现逻辑变换，同时MOS做开关还起到了电源隔离的作用，三个不同的电源之间互不干扰。   该NMOS型号是7002，查询手册的电气参数，如下： 由图可知MOS的开启电压典型值是1.6V，实际应用中一般会略高于该值。  电路的功能：三个二

1、NTMFSC006N12MCN-ChannelDualCoolTM56PowerTrench®MOSFET120V,92A,6.0mΩNTMFSC006N12MC双路Cool™N通道功率MOSFET采用PowerTrench®工艺和双面冷却封装。该功率MOSFET具有超低RDS(ON)、120V漏极-源极电压、±20V栅极-源极电压以及150°C最高工作结温/存放温

在软件中NMOS-FET使用需要设置参数,否则没作用简单的方法:其他用默认值,只要修改参数:M多重性导通关系M:10000Vgs:1VIds:100mAVgs:2VIds:400mAM:1000Vgs:1VIds:10mAVgs:2VIds:40mA关系大致如下:I=vvM*k

     在利用MOSFET实现自动切换电流档位的仿真时，发现MOSFET如果倒置时，控制VGS电压并不能关断MOSFET的电流，总是有一点漏电。如下图仿真所示。实际器件是否如此，暂时不知道，有机会要实际测试一下。 

MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件，很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点，应用广泛，特别是在大规模的集成电路中。根据导电沟道的不同，MOS管可分为

编辑-ZIXFH4N100Q参数描述：型号：IXFH4N100QVDSS：1000VVDGR：1000VVGS：±20ID25：4AIDM：16APD：150WTJ，Tstg：-55to+150℃Weight：6gVGS(th)：5VIGSS：±100nAIDSS：50uARDS(on)：3ΩCiss：1050pFIS：4AISM：16AVSD：1.5VTrr：250ns  IXFH4N100Q特征：IXYS先进的低Qg工艺低栅极电荷和电容

1、简介GaN是未来电力电子设计的趋势，知名电源大厂也在抢夺高频市场。由于GaN是通过AlGaN和GaN在交界面的压电效应形成的二维电子气来导电，意味着GaN是常开器件。然而电力电子电路常需要常关的器件作为开关管，因此，市面上主要有两种方式将常开的GaN器件变成常关

特性：1)低导通电阻2)小型表面贴装封装（TSMT8）3)无铅电镀；符合RoHS标准4)无卤素ROHM半导体硅功率MOSFET提供一系列驱动类型(0.9V至20V)，使其非常适合各种应用。技术：MOSFET（金属氧化物）配置：N和P沟道FET功能：-漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A，8A不同Id、Vgs

沟道长度调制效应（channellengthmodulation）短沟道情况，沟道长度调制效应越明显，λ越小，Id越大MOS晶体管中，栅下沟道预夹断后，若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区

MOS管的结构：  如下图所示，N沟道增强型MOS管的结构示意图。它以低掺杂的P型硅材料作衬底，在上面制造两个高掺杂的N型区，分别引出两个电极，作为源极s和漏极d，在P型衬底的

编辑-ZASEMI低压MOS管AO3415参数：型号：AO3415漏极-源极电压（VDS）：20V栅源电压（VGS）：8V漏极电流（ID）：4A功耗（PD）：1.4W储存温度（Tstg）：-55to150℃静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ二极

IMBG120R140M1H模块SICFETN-CH1.2KV18ATO263（IMBG120R140M1HXTMA1）说明：1200VCoolSiC模块是碳化硅(SiC)MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值

产品参数1、型号：DEC1515H-D0-I/Z2封装：TQFP128批次：新年份2、型号：NTMFS4C810NAT3GFET类型：N通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：8.2A（Ta

MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate

概述FF08MR12W1MA1B111200VCoolSiC™模块是碳化硅(SiC)MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路(NTC)和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具