1200V CoolSiC模块IMBG120R140M1H SICFET N-CH 18A

IMBG120R140M1H 模块 SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263（IMBG120R140M1HXTMA1）

说明：1200V CoolSiC 模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。

（明佳达电子、星际金华供应且回收）IMBG120R140M1H 1200V CoolSiC模块。

技术参数

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：189 毫欧 @ 6A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.4 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+18V，-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：491 pF @ 800 V

FET 功能：标准

功率耗散（最大值）：107W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-7-12

封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

基本产品编号：IMBG120

特性

大电流密度

出色的开关和导通损耗

低电感设计

低电容

具有反向恢复电荷的本征二极管

集成NTC温度传感器

PressFIT触点技术

效率高，可降低冷却要求

无阈值导通状态特性

与温度无关的开关损耗

高频工作

较高的功率密度

优化的开发周期时间和成本

符合RoHS指令

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