全新QSiC1200VSOT-227SiC模块，提升能源标准，这些超高效模块支持电动汽车、医疗电源和太阳能大功率应用的创新设计。特点低开关损耗低结至外壳热阻非常坚固，易于安装直接安装到散热器上（隔离封装）超低损耗的高频操作SiCSBDs的零反向恢复电流SiCMOSFETs的小关断尾电流低杂散电感

NXH240B120H3Q1是一款3沟道1200VIGBT+SiC升压模块。每个沟道由一个快速开关80AIGBT、一个20ASiC二极管、一个旁通二极管和一个IGBT保护二极管组成。该模块具有内置的热敏电阻和压接引脚。IGBT模块：NXH240B120H3Q1SG、NXH240B120H3Q1PG（明佳达电子供求库存）产品描述

编辑：llGBU812-ASEMI逆变器专用整流桥GBU812型号：GBU812品牌：ASEMI芯片个数：4封装：GBU-4恢复时间：＞50ns工作温度：-55°C~150°C浪涌电流：200A正向电流：8A反向耐压：1200V正向压降：1.10V引脚数量：4GBU812特性：ASEMI品牌GBU812是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了GBU812

编辑-ZSFP3012参数描述：型号：SFP3012最大反向重复峰值电压VRRM：1200V平均整流正向电流IF：30A反向恢复时间TRR：≤65nS正向峰值浪涌电流IFSM：160×2A工作接点温度TJ：-40～175℃储存温度TSTG：-40～175℃典型热阻RθJC：0.5℃/WVB：1200VIR：0.01mAVF：2.2V  SFP3012特征：超快速切换，实现

编辑：llSFP3012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP3012A型号：SFP3012A品牌：MHCHXM（海矽美）芯片个数：单芯片封装：TO-247恢复时间：≤75ns工作温度：-40°C~175°C浪涌电流：300A*1正向电流：30A反向耐压：1200V正向压降：2.2V~2.4V引脚数量：2SFP3012A特性：ASEMI代理的海矽美品牌SFP3012A是采用工艺芯片，该芯

IGBT模块介绍：该DIP-261200V传输模压功率集成模块(TMPIM)是采用转换器-逆变器-制动(CIB)和转换器-逆变器(CI)配置的IGBT功率模块。这些模块均包含六个1.2kVIGBT、六个1.6kV整流器和一个用于系统级温度监控的NTC热敏电阻器。CIB型号还具有一个额外的1.2kVIGBT和一个二极管，可

IMBG120R140M1H模块SICFETN-CH1.2KV18ATO263（IMBG120R140M1HXTMA1）说明：1200VCoolSiC模块是碳化硅(SiC)MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值

英飞凌1200V双IGBT模块采用第7代发射器控制二极管、NTC和PressFIT触点技术。该IGBT模块在相同框架尺寸和避免并联的情况下具有更高的逆变器输出电流。英飞凌1200V双IGBT模

概述FF08MR12W1MA1B111200VCoolSiC™模块是碳化硅(SiC)MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路(NTC)和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具