编辑：llKBP312-ASEMI小电流超高电压整流桥1200V型号：KBP312品牌：ASEMI封装：KBP-4批号：2024+现货：50000+最大重复峰值反向电压：1200V最大正向平均整流电流(Vdss)：3A功率(Pd)：小功率芯片个数：4引脚数量：4安装方式：插件类型：插件扁桥、整流桥正向浪涌电流IFSM：50A正向电压：1.00V~1.10

全新QSiC1200VSOT-227SiC模块，提升能源标准，这些超高效模块支持电动汽车、医疗电源和太阳能大功率应用的创新设计。特点低开关损耗低结至外壳热阻非常坚固，易于安装直接安装到散热器上（隔离封装）超低损耗的高频操作SiCSBDs的零反向恢复电流SiCMOSFETs的小关断尾电流低杂散电感

NXH240B120H3Q1是一款3沟道1200VIGBT+SiC升压模块。每个沟道由一个快速开关80AIGBT、一个20ASiC二极管、一个旁通二极管和一个IGBT保护二极管组成。该模块具有内置的热敏电阻和压接引脚。IGBT模块：NXH240B120H3Q1SG、NXH240B120H3Q1PG（明佳达电子供求库存）产品描述

编辑：llGBU812-ASEMI逆变器专用整流桥GBU812型号：GBU812品牌：ASEMI芯片个数：4封装：GBU-4恢复时间：＞50ns工作温度：-55°C~150°C浪涌电流：200A正向电流：8A反向耐压：1200V正向压降：1.10V引脚数量：4GBU812特性：ASEMI品牌GBU812是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了GBU812

编辑-ZSFP3012参数描述：型号：SFP3012最大反向重复峰值电压VRRM：1200V平均整流正向电流IF：30A反向恢复时间TRR：≤65nS正向峰值浪涌电流IFSM：160×2A工作接点温度TJ：-40～175℃储存温度TSTG：-40～175℃典型热阻RθJC：0.5℃/WVB：1200VIR：0.01mAVF：2.2V  SFP3012特征：超快速切换，实现

编辑：llSFP3012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管SFP3012A型号：SFP3012A品牌：MHCHXM（海矽美）芯片个数：单芯片封装：TO-247恢复时间：≤75ns工作温度：-40°C~175°C浪涌电流：300A*1正向电流：30A反向耐压：1200V正向压降：2.2V~2.4V引脚数量：2SFP3012A特性：ASEMI代理的海矽美品牌SFP3012A是采用工艺芯片，该芯

IGBT模块介绍：该DIP-261200V传输模压功率集成模块(TMPIM)是采用转换器-逆变器-制动(CIB)和转换器-逆变器(CI)配置的IGBT功率模块。这些模块均包含六个1.2kVIGBT、六个1.6kV整流器和一个用于系统级温度监控的NTC热敏电阻器。CIB型号还具有一个额外的1.2kVIGBT和一个二极管，可

IMBG120R140M1H模块SICFETN-CH1.2KV18ATO263（IMBG120R140M1HXTMA1）说明：1200VCoolSiC模块是碳化硅(SiC)MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值

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概述FF08MR12W1MA1B111200VCoolSiC™模块是碳化硅(SiC)MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路(NTC)和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具